[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201110085619.3 | 申請日： | 2011-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102208394A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發明（設計）人： | 多田勇治;平川剛;中村博功;黑川敬之 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，包括：
襯底，在所述襯底上形成有電路；
多層布線層，所述多層布線層具有在所述襯底上形成的多個布線層以及在所述布線層的最上層的預定位置中形成的第一焊盤；
新焊盤，所述新焊盤被提供在所述多層布線層上的適當位置中；以及
再分配層，所述再分配層被提供有將所述新焊盤和所述第一焊盤進行耦合的再分配線；
其中，所述多層布線層包括信號線和地線，所述信號線用于將電信號傳送到所述電路，所述地線被提供于在所述再分配線或所述新焊盤與所述電路之間的布線層中；
其中，所述地線被形成為與所述新焊盤假定要被定位的位置和所述再分配線假定要被形成時所沿的路線相對應；
其中，所述再分配線被形成為沿著所述地線的至少一部分。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述地線被形成在所述多層布線層中包含的多個布線層中的一個布線層中，或被形成為越過所述多層布線層中包含的多個布線層。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述地線被形成為柵格狀圖案。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述地線被形成為沿著在其中要形成有所述新焊盤的所述多層布線層的外圍。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述地線在與布局和電路特性相關的限制內具有最大可能的面積。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞薩電子株式會社，未經瑞薩電子株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110085619.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
