[發明專利]一種多層氧化鋯固態電解質復合芯片及其制備

無效

• 申請號: 201110084857.2
• 申請日: 2011-04-06
• 公開（公告）號: CN102226782A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 李靜濤
• 申請（專利權）人: 上海遠登環保科技發展有限公司
• 主分類號: G01N27/403
• 分類號: G01N27/403;C04B35/48;C04B35/622
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強

1.一種穩定氧化鋯氧離子傳導膜，其特征是，由穩定氧化鋯與有機添加劑按照質量比為(55～70)∶(30～45)球磨混合形成漿料后流延而成；所述穩定氧化鋯為(MO)_x·(ZrO₂)_1-x、(M₂O₃)_x·(ZrO₂)_1-x二元體系或(MO)_x·(M₂O₃)_y·(ZrO₂)_1-(x+y)、(M₂O₃)_x·(N₂O₃)_y(ZrO₂)_1-(x+y)三元體系；其中元素M和N均為Ca、Mg、Y、Cr、Al、Yb、Sc、Re、Ce中的任意一種；所述二元體系的x為0.03～0.20，三元體系的x取值為0.01～0.19，y取值為0.01～0.19；所述有機添加劑是按照質量比例松油醇∶聚乙二醇400∶鄰苯二甲酸二乙酯∶聚乙烯醇縮丁醛為(5.8-6.2)∶(4.8-5.2)∶(7.8-8.2)∶(5.8-6.2)的比例混合后加入適量乙醇混合而成，適量乙醇是以適合流延的稠度為標準。

2.根據權利要求1所述穩定氧化鋯氧離子傳導膜，其特征是，所述元素M為Y，元素N為Al或Sc；二元體系的x為0.08，三元體系的x取值為0.02～0.11，y取值為0.02～0.11。

3.根據權利要求1所述穩定氧化鋯氧離子傳導膜，其特征是，所述穩定氧化鋯為(Y₂O₃)_0.08(ZrO2)_0.92或(Y₂O₃)_0.02(Sc₂O₃)_0.11(ZrO₂)_0.87。

4.根據權利要求1-3之一所述穩定氧化鋯氧離子傳導膜，其特征是，厚度為150μm～300μm。

5.一種穩定氧化鋯粘結隔離膜，其特征是，由穩定氧化鋯、助熔粉與有機添加劑球磨按照質量比(45～65)∶(5～10)∶(45～30)球磨混合形成漿料后流延或印刷而成；所述穩定氧化鋯為(MO)_x·(ZrO₂)_1-x、(M₂O₃)_x·(ZrO₂)_1-x二元體系或(MO)_x·(M₂O₃)_y·(ZrO₂)_1-(x+y)、(M₂O₃)_x·(N₂O₃)_y(ZrO₂)_1-(x+y)三元體系；其中元素M和N均為Ca、Mg、Y、Cr、Al、Yb、Sc、Re、Ce中的任意一種；所述二元體系的x為0.01～0.05，三元體系的x為0.01～0.05，y為0.01～0.05；所述助熔粉為玻璃粉；所述有機添加劑是按照質量比例松油醇∶聚乙二醇400∶鄰苯二甲酸二乙酯∶丙烯酰胺丙烯酸乙酯為(5.8-6.2)∶(4.8-5.2)∶(7.8-8.2)∶(7.8-8.2)的比例混合后再與適量乙醇混合而成，適量乙醇是以適合流延的稠度為標準。

6.根據權利要求5所述穩定氧化鋯粘結隔離膜，其特征是，所述元素M和N均為Y、Al或Sc；二元體系的x為0.03，三元體系的x為0.01～0.02，y為0.01～0.02。