[發(fā)明專利]發(fā)光元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110084302.8 | 申請(qǐng)日: | 2011-04-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102214755A | 公開(公告)日: | 2011-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐子杰;陶青山;歐震;謝明勛;陳昭興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/20 | 分類號(hào): | H01L33/20;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 元件 | ||
1.一發(fā)光元件包含:
發(fā)光疊層,包含第一電性半導(dǎo)體層,其中該第一電性半導(dǎo)體層具有第一部分與第二部分;發(fā)光層形成于該第一電性半導(dǎo)體疊層之上;及第二電性半導(dǎo)體層形成于該發(fā)光層之上,其中該第二電性半導(dǎo)體層之上表面為一粗化表面,且具有第一部分與第二部分;
第一平坦層,形成于該第二電性半導(dǎo)體層上表面的第一部分上;
第一氧化物透明導(dǎo)電層,形成于該第一平坦層與該第二電性半導(dǎo)體層的上表面的第二部分之上,其中該第一氧化物透明導(dǎo)電層包含接觸該第一平坦層的第一部分及接觸該第二電性半導(dǎo)體層的第二部分,其中該第一氧化物透明導(dǎo)電層的第二部分包含第一孔穴群,以及
第一電極,形成于該第一氧化物透明導(dǎo)電層的第一部分之上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包含第二孔穴群形成在該第一氧化物透明導(dǎo)電層的第二部分的上表面,并與該第一孔穴群相對(duì)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包含第一金屬反射層,形成在該第一氧化物透明導(dǎo)電層與該第一電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該第一平坦層大致為平坦,且由旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG,spin?on?glass?coating)的方式形成,材料可為SiO2、BCB(Benzocyclobutene)、HSQ(Hydrogen??Silesquioxane)和MSQ(Methylsequioxane)等聚合物(Polymer)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該第一氧化物透明導(dǎo)電層具有至少一第一分支與一第二分支,其中該第二分支自該第一分支延伸,且該第一電極覆蓋該第一氧化物透明導(dǎo)電層的第一分支。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件,其中該第一氧化物透明導(dǎo)電層還具有第三分支,且該第三分支延伸自該第二分支。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包含第二平坦層,形成在該第一電性半導(dǎo)體層的上表面的第一部分之上,及第二氧化物透明導(dǎo)電層,形成于該第二平坦層與該第一電性半導(dǎo)體層的上表面的第二部分之上,其中該第二氧化物透明導(dǎo)電層包含接觸該第二平坦層的第一部分及接觸該第一電性半導(dǎo)體層的第二部分,其中該第二氧化物透明導(dǎo)電層的第二部分包含第三孔穴群,以及第二電極,形成于該第二氧化物透明導(dǎo)電層的第一部分之上。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件,其中該第二平坦層大致為平坦,且由旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG,spin?on?glass?coating)的方式形成,材料可為SiO2、BCB(Benzocyclobutene??)、HSQ??(Hydrogen??Silesquioxane)和MSQ(Methylsequioxane)等聚合物(Polymer)。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件,還包含第二金屬反射層,形成在該第二氧化物透明導(dǎo)電層與該第二電極之間。
10.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件,其中該第一金屬反射層投射于基板上的面積與該第一電極投射于基板上的面積大致相等。
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