[發(fā)明專利]基準(zhǔn)電壓電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110080233.3 | 申請(qǐng)日： | 2011-03-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102200797A | 公開（公告）日： | 2011-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鈴木照夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G05F3/30 | 分類號(hào)： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千葉*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基準(zhǔn) 電壓 電路 | ||
1.一種基準(zhǔn)電壓電路，具備基準(zhǔn)電壓部和軟起動(dòng)電路，該基準(zhǔn)電壓部包括耗盡型MOS晶體管和第一增強(qiáng)型MOS晶體管，其特征在于，
所述軟起動(dòng)電路包括：
第二增強(qiáng)型MOS晶體管，其柵極與所述第一增強(qiáng)型MOS晶體管的柵極及漏極連接，且漏極與所述基準(zhǔn)電壓電路的輸出端子連接；
MOS開關(guān)，其一個(gè)端子與所述基準(zhǔn)電壓部的輸出端子連接，且另一端子與所述第二增強(qiáng)型MOS晶體管的漏極連接；以及
恒流源和電容，它們?cè)陔娫磁c接地間串聯(lián)連接，
利用由所述恒流源的電流來對(duì)所述電容進(jìn)行充電時(shí)的電壓，使所述MOS開關(guān)逐漸導(dǎo)通，從而使基準(zhǔn)電壓逐漸上升。
2.一種基準(zhǔn)電壓電路，具備基準(zhǔn)電壓部和軟起動(dòng)電路，該基準(zhǔn)電壓部包括：耗盡型MOS晶體管，其柵極及源極接地；第一增強(qiáng)型PMOS晶體管，其源極與電源端子連接，且柵極及漏極與所述耗盡型MOS晶體管的漏極連接；第二增強(qiáng)型PMOS晶體管，其柵極與所述第一增強(qiáng)型PMOS晶體管的柵極連接，且源極與電源端子連接；以及第一增強(qiáng)型NMOS晶體管，其柵極及漏極與所述第二增強(qiáng)型PMOS晶體管的漏極連接，其特征在于，
所述軟起動(dòng)電路包括：
第二增強(qiáng)型NMOS晶體管，其柵極與所述第一增強(qiáng)型NMOS晶體管的柵極及漏極連接，且漏極與所述基準(zhǔn)電壓電路的輸出端子連接；
MOS開關(guān)，其一個(gè)端子與所述基準(zhǔn)電壓部的輸出端子連接，且另一端子與所述第二增強(qiáng)型NMOS晶體管的漏極連接；以及
恒流源和電容，它們?cè)陔娫磁c接地間串聯(lián)連接，
利用由所述恒流源的電流來對(duì)所述電容進(jìn)行充電時(shí)的電壓，使所述MOS開關(guān)逐漸導(dǎo)通，從而使基準(zhǔn)電壓逐漸上升。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基準(zhǔn)電壓電路，其特征在于，具備與所述恒流源和所述電容的連接部連接的第一起動(dòng)開關(guān)。
4.如權(quán)利要求3所述的基準(zhǔn)電壓電路，其特征在于，具備與所述基準(zhǔn)電壓電路的輸出端子連接的第二起動(dòng)開關(guān)。
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