[發明專利]NiTi記憶合金選擇性脫Ni陽極氧化法制備TiO2膜的方法無效
| 申請號： | 201110080091.0 | 申請日： | 2011-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102181903A | 公開（公告）日： | 2011-09-14 |
| 發明（設計）人： | 朱維東;程占保;蘇向東;李娜 | 申請（專利權）人： | 貴州大學 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 貴陽東圣專利商標事務有限公司 52002 | 代理人： | 楊云 |
| 地址： | 550025 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | niti 記憶 合金 選擇性 ni 陽極 氧化 法制 tio sub 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種NiTi記憶合金選擇性脫Ni陽極氧化法制備TiO2膜的方法，其特征在于具體步驟如下：將NiTi記憶合金打磨至鏡面、用丙酮擦拭干凈，將打磨好的NiTi記憶合金浸入稀鹽酸溶液中進行陽極氧化處理5min，控制電流密度為0.066A/cm2；所述稀鹽酸溶液是質量百分比濃度為36％的鹽酸與蒸餾水按1∶10的體積混合而成，所述NiTi記憶合金的成份為Ti49.3at％、Ni50.7at％。
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