[發明專利]光振蕩裝置和記錄裝置

無效

• 申請號: 201110066921.4
• 申請日: 2011-03-18
• 公開（公告）號: CN102201646A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 藤田五郎;宮島孝夫;渡邊秀輝
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06;H01S5/042;G11B7/08
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種光振蕩裝置，包括：

自激振蕩半導體激光器，其具有由GaInN/GaN/AlGaN材料制成的雙量子阱分別限制異質結構，并且包括施加有負偏壓的可飽和吸收體部和增益電流被注入其中的增益部；

光分離裝置，用來從所述自激振蕩半導體激光器中分離部分激光束；

光感測元件，感測通過所述光分離裝置分離的所述激光束；以及

電流控制電路，基于通過所述光感測元件感測的所述激光束的量來控制注入到所述自激振蕩半導體激光器的所述增益部中的電流。

2.根據權利要求1所述的光振蕩裝置，其中，從下層開始，GaInN引導層、p型AlGaN阻擋層、p型GaN/AlGaN超晶格第一覆蓋層以及p型GaN/AlGaN超晶格第二覆蓋層順序形成在所述自激振蕩半導體激光器的活性層的上表面上。

3.根據權利要求2所述的光振蕩裝置，其中

從上層開始，n型GaN引導層、n型AlGaN覆蓋層以及n型GaN層順序形成在所述自激振蕩半導體激光器的所述活性層下方。

4.一種記錄裝置，包括：

光振蕩裝置，具有：自激振蕩半導體激光器，其具有由GaInN/GaN/AlGaN材料制成的雙量子阱分別限制異質結構，并且包括施加有負偏壓的可飽和吸收體部和增益電流被注入其中的增益部；光分離裝置，用于從所述自激振蕩半導體激光器中分離部分激光束；光感測元件，感測通過所述光分離裝置分離的所述激光束；以及電流控制電路，基于通過所述光感測元件感測的所述激光束的量來控制注入到所述自激振蕩半導體激光器的所述增益部中的電流；

光調制裝置，用來調制從所述光振蕩裝置發射的激光；

物鏡，將通過所述光調制裝置調制的所述激光會聚在記錄介質上；

基準信號生成單元，產生主時鐘信號；

記錄信號生成單元，基于所述主時鐘信號產生記錄信號；

驅動電路，基于所述記錄信號驅動所述光調制裝置；

脈沖檢測裝置，用來檢測通過所述光感測元件感測的激光的脈沖光；

相位比較裝置，用來檢測所述脈沖光與所述主時鐘信號之間的相位差；以及

補償裝置，用來基于通過所述相位比較裝置檢測的相位差來控制施加到所述自激振蕩半導體激光器的所述可飽和吸收體部的電壓。

5.根據權利要求4所述的記錄裝置，其中，所述補償裝置控制施加到所述自激振蕩半導體激光器的所述可飽和吸收體部的電壓，使得所述相位差減小。

6.根據權利要求5所述的記錄裝置，其中，所述光調制裝置是半導體光學放大器。

7.一種記錄裝置，包括：

光振蕩裝置，具有：自激振蕩半導體激光器，其具有由GaInN/GaN/AlGaN材料制成的雙量子阱分別限制異質結構，并且包括施加有負偏壓的可飽和吸收體部和增益電流被注入其中的增益部；光分離裝置，用來從所述自激振蕩半導體激光器中分離部分激光束；光感測元件，感測通過所述光分離裝置分離的激光束；以及電流控制電路，基于通過所述光感測元件感測的所述激光束的量來控制注入到所述自激振蕩半導體激光器的所述增益部中的電流；

頻率分離裝置，連接至所述自激振蕩半導體激光器的所述可飽和吸收體部；

光調制裝置，用來調制從所述光振蕩裝置發射的激光；

物鏡，將通過所述光調制裝置調制的激光會聚在記錄介質上；

基準信號生成單元，產生主時鐘信號；

記錄信號生成單元，基于所述主時鐘信號產生記錄信號；

驅動電路，基于所述記錄信號驅動所述光調制裝置；

頻率檢測裝置，用來檢測通過所述頻率分離裝置檢測的信號的頻率；

頻率比較裝置，用來檢測通過所述頻率檢測裝置檢測的頻率與所述主時鐘信號的頻率之間的頻差；以及

補償裝置，用來基于通過所述頻率比較裝置檢測的頻差來控制施加到所述自激振蕩半導體激光器的所述可飽和吸收體部的電壓。

8.根據權利要求7所述的記錄裝置，其中，所述頻率分離裝置根據所述自激振蕩半導體激光器中的振蕩來檢測光電流的漏電流。

9.根據權利要求8所述的記錄裝置，其中，所述頻率分離裝置是LC電路。