[發(fā)明專利]阻抗匹配元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110066479.5 | 申請日: | 2011-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN102480000A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉若鵬;徐冠雄;季春霖;趙治亞;方能輝 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01Q15/00 | 分類號: | H01Q15/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻抗匹配 元件 | ||
1.一種阻抗匹配元件,設(shè)置于第一介質(zhì)與第二介質(zhì)之間,其特征在于,所述元件由多個相互平行的超材料片層沿垂直于所述片層表面的方向堆疊形成,所述超材料片層包括基材和多個附著在所述基材上的人造微結(jié)構(gòu),所述基材分成若干晶格,所述人造微結(jié)構(gòu)置于所述晶格中,每一晶格與其上的人造微結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個單元格,所述元件的單元格的阻抗沿片層堆疊方向呈連續(xù)變化,組成首位片層及末尾片層的各單元格的阻抗分別與首位片層及末尾片層各自相接觸的第一介質(zhì)或第二介質(zhì)對應(yīng)位置的阻抗相同。
2.如權(quán)利要求1所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述第一介質(zhì)和第二介質(zhì)都為均勻介質(zhì),所述元件由多個阻抗均勻分布的超材料片層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述元件所有超材料片層的人造微結(jié)構(gòu)具有相同的圖案,各片層的人造微結(jié)構(gòu)的尺寸沿片層的堆疊方向連續(xù)變化。
4.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述人造微結(jié)構(gòu)呈“工”形,包括第一金屬絲和分別連接在第一金屬絲兩端且垂直于所述第一金屬絲的第二金屬絲。
5.如權(quán)利要求4所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述人造微結(jié)構(gòu)還包括分別連接在所述第二金屬絲兩端且垂直于所述第二金屬絲的第三金屬絲、分別連接在所述第三金屬絲兩端且垂直于所述第三金屬絲的第四金屬絲,依此類推。
6.如權(quán)利要求5所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述第二金屬絲的長度小于第一金屬絲,所述第三金屬絲的長度小于第二金屬絲,所述第四金屬絲的長度小于第三金屬絲,依此類推。
7.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件,其特征在于,每個所述人造微結(jié)構(gòu)包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個第一金屬絲、分別連接在每個第一金屬絲兩端且垂直于第一金屬絲的第二金屬絲、分別連接在每個第二金屬絲兩端且垂直于第二金屬絲的第三金屬絲,依此類推。
8.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件,其特征在于,每個所述人造微結(jié)構(gòu)包括在三維空間內(nèi)兩兩垂直且共一交點(diǎn)的三個第一金屬絲、分別連接在每個第一金屬絲兩端且垂直于第一金屬絲的第二金屬絲、分別連接在每個第二金屬絲兩端且垂直于第二金屬絲的第三金屬絲,依此類推。
9.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述人造微結(jié)構(gòu)為非軸對稱結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的阻抗匹配元件,其特征在于,所述人造微結(jié)構(gòu)為不等腰三角形、平行四邊形或不規(guī)則閉合曲線。
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