[發明專利]一種電荷泵及FLAS存儲器

有效

• 申請號: 201710338850.6
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107171547B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 李政達;歐陽托日;任軍
• 申請（專利權）人: 合肥恒爍半導體有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;G11C5/14;G11C16/30
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 郭桂峰

1.一種電荷泵，其特征在于，包括：

N級升壓電路，所述N級升壓電路中N為大于1的整數；每級升壓電路包括一主電容，沿著N級升壓電路中電壓信號的輸出方向，第一級升壓電路中的主電容值大于第二級升壓電路中的主電容值，第N-1級升壓電路中的主電容值大于第N級升壓電路中的主電容值；位于所述第一級升壓電路、第N級升壓電路之間的每級升壓電路中的主電容值均相等；

每級升壓電路中的主電容值是利用電荷泵等效模型，以及所述電荷泵等效模型中的延時模型計算得到；

所述電荷泵等效模型中的延時模型為：

τ_n＝R₁C₁₁+(R₁+R₂)C₂₁+…+(R₁+R₂+…R_N-1)C_(N-1)1+(R₁+R₂+…R_N)(C_N1+C_L)；

其中，R₁＝1/(fC₁₁)，R₂＝1/(fC₂₁)，...，R_N＝1/(fC_N1)；f為電荷泵時鐘信號的頻率；C₁₁為第一級主電容C11的值，C₂₁為第二級主電容C21的值，C_(N-1)1為第N-1級主電容C(N-1)1的值，C_N1為第N級主電容CN1的值，C_L是負載電容；

第一級主電容C11的值，通過以下公式計算得到：

第N級主電容CN1的值，通過以下公式計算得到：

其中，C_L是負載電容；

C為位于所述第一級升壓電路、第N級升壓電路之間的每級升壓電路中的主電容值。

2.如權利要求1所述的電荷泵，其特征在于：

每級升壓電路包括一主升壓子電路和一輔助升壓子電路，所述主升壓子電路與所述輔助升壓子電路電連接；

前一級升壓電路中的輔助升壓子電路與后一級升壓電路中的主升壓子電路電連接。

3.如權利要求2所述的電荷泵，其特征在于：

所述主升壓子電路包括：一主電容和一主場效應管，所述主電容串接在所述主場效應管的柵極上，所述主場效應管的源極形成主升壓子電路的輸入端；

所述輔助升壓子電路包括：一輔助電容和一輔助場效應管，所述輔助電容串接在所述輔助場效應管的柵極上，所述輔助場效應管的柵極還與所述主場效應管的漏極電連接；所述輔助場效應管的源極與所述主場效應管的源極電連接，所述輔助場效應管的漏極與所述主場效應管的柵極電連接，所述輔助場效應管的漏極還形成輔助升壓子電路的輸出端；

所述輔助場效應管的漏極還與電源場效應管的漏極電連接，所述電源場效應管的柵極、源極均接電源電壓。

4.如權利要求2所述的電荷泵，其特征在于，還包括：

防止倒流的場效應管，所述防止倒流的場效應管的柵極、源極分別與所述第N級升壓電路中輔助升壓子電路的輸出端電連接；

所述防止倒流的場效應管的漏極通過負載電容接地；所述防止倒流的場效應管的漏極形成電荷泵的電壓輸出端。

5.一種包含如權利要求1～4中任意一項所述的電荷泵的FLASH存儲器。