[發(fā)明專利]晶體硅太陽能電池及其鈍化方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110057774.4
• 申請日: 2011-03-11
• 公開（公告）號: CN102169924A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發(fā)明（設計）人: 李廣
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江貝盛光伏股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 符彥慈

1.一種晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：將去磷硅玻璃后的帶有水分的硅片置入密閉環(huán)境，在溫度60-100°C下，通入O₂進行氧化處理，使硅片表面生成氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述經(jīng)過氧化處理后的硅片還要進行干燥處理，溫度控制在80-100°C時，通入?N₂或惰性氣體，除去硅片的水分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述去磷硅玻璃后的硅片先經(jīng)過預干燥處理后，再將帶有適量水分的硅片進行氧化處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述硅片的上下表面均生成氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述氧化層的厚度為1-4nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述氧化處理的時間為4-8分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述O₂的流量為70-90L/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述干燥處理的時間為3-5分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求2或8所述的晶體硅太陽能電池的鈍化方法，其特征在于：所述N₂或惰性氣體的流量為80—100L/min。

10.一種如權(quán)利要求1所述的鈍化方法獲得的硅片制成的晶體硅太陽能電池。