[發明專利]一種監控離子注入機異常的方法和裝置有效
| 申請號: | 201110057520.2 | 申請日: | 2011-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN102683164A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 林偉旺;胡德明;陳春河;黃秉誠 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 監控 離子 注入 異常 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體設備制造領域,尤其涉及一種監控離子注入機異常的方法和裝置。
背景技術
在集成電路的制造中,EATON公司生產的NV1080、NV10160等NV10系列的離子注入機廣泛應用于當前國內6″集成電路生產線;離子注入機是一種高真空設備,在生產過程(即離子注入機的注入過程)中,離子注入機內部的注入真空度將直接影響到產品的良率,過高或過低的注入真空度將會導致產品的相關參數(如摻雜阻值)超出預設的范圍繼而導致產品報廢的問題。現有的離子注入機在注入過程中若真空度過低或過高時,只會在該離子注入機的屏幕上顯示異常,單不具備報警功能;正常情況下,離子注入機在注入過程中其內部真空度穩定在一定范圍內,若真空度過高或過低時,現有的離子注入機不具備報警功能,也不會主動的進行相應的處理,若異常情況持續較長時間而得不到及時處理的話,將可能影響產品性能,甚至會導致產品報廢的問題;因此,在實際生產過程中,離子注入機常會由于注入真空過高而使得產品摻雜阻值過高,從而導致產品報廢的問題;導致注入真空過高的主要原因如下:
生產時,在未對產品進行注入前或在注入過程中,由于一些調機參數不在菜單范圍內,離子注入機中的DATALOCK(即數據鎖定)系統會自動限制真空注入,從而使得離子注入機一直處于抽真空狀態的異常狀態,若操作人員沒能及時發現該異常狀態時,離子注入機則會因為抽真空時間較長使得真空度高于預設的范圍,從而可能會導致產品報廢的問題。
因此,現有的離子注入機在實際的生產過程中,不能確保真空度在預設的真空度范圍內,從而存在注入真空的真空度過高而使得產品摻雜阻值過高,從而導致產品報廢的問題。
發明內容
針對現有技術中存在的上述技術問題,本發明提供一種監控離子注入機異常的方法和裝置,以實現在離子注入機在注入過程中的真空度超出預設的真空度范圍時進行報警,以確保縮短真空度較高或較低的狀態持續時間,從而提高產品的質量和降低產品的報廢率。
一種監控離子注入機異常的裝置,包括:
輸入隔離單元,與離子注入機的劑量控制器和傳片控制器相連接,用于接收所述劑量控制器發送的異常報警信號和所述傳片控制器發送的注入運行信號,并輸出所述異常報警信號和所述注入運行信號;
中央處理單元,與所述輸入隔離單元相連接,用于在接收到所述輸入隔離單元輸出的注入運行信號之后,當接收到所述輸入隔離單元輸出的異常報警信號時,輸出語音報警通知消息;
語音報警單元,與所述中央處理單元相連接,用于根據所述中央處理單元輸出的所述語音報警通知消息,進行語音報警。
一種監控離子注入機異常的方法,包括:
輸入隔離單元接收離子注入機的劑量控制器發送的異常報警信號和所述離子注入機的傳片控制器發送的注入運行信號,并輸出所述異常報警信號和所述注入運行信號;
中央處理單元在接收到所述輸入隔離單元輸出的注入運行信號之后,當接收到所述輸入隔離單元輸出的異常報警信號時,輸出語音報警通知消息;
語音報警單元根據所述中央處理單元輸出的所述語音報警通知消息,進行語音報警。
本發明實施例提供的裝置在接收到離子注入機的傳片控制器發送的注入運行信號之后,在接收到該離子注入機的劑量控制器發送的異常報警信號時,能夠產生語音報警,從而可以及時的通知操作人員對該離子注入機的異常狀態進行處理,以避免離子注入機長久的保持在真空度較高或較低的狀態,而影響產品性能從而可能導致產品報廢的問題。
附圖說明
圖1為本發明實施例中監控離子注入機異常的裝置的結構示意圖;
圖2A為本發明實施例中輸入隔離單元的電路結構示意圖;
圖2B為本發明實施例中輸出隔離單元的電路結構示意圖;
圖3為本發明實施例中監控離子注入機異常裝置的硬件結構示意圖;
圖4為本發明實施例中監控離子注入機異常的方法流程圖;
圖5為本發明實施例中監控離子注入機異常的具體的方法流程圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





