[發明專利]一種超淺結深紫外激光退火設備中的屏蔽電極裝置

有效

• 申請號: 201110056560.5
• 申請日: 2011-03-09
• 公開（公告）號: CN102169816A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 周衛;嚴利人;劉朋;竇維治
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/268
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 史雙元

1.一種深紫外激光退火設備中的屏蔽電極裝置，其特征在于，在被加工的圓片上方加一個屏蔽電極，該屏蔽電極位于承載片臺和被加工的圓片的上方，與被加工圓片表面平行，電極中心有一個小孔可使深紫外激光透過，電極相對于激光光束靜止不動，與被加工圓片的間距在1～10mm的范圍，該電極相對于承載片臺和被加工的圓片為負電位，所施加的反向偏壓為5～100V；可以有效地抑制由于深紫外激光退火所產生電子逃逸的外光電效應，保證器件不會因為采用深紫外激光退火而損傷。

2.根據權利要求1所述深紫外激光退火設備中的屏蔽電極裝置，其特征在于，所述的深紫外激光器其波長為193nm～350nm，脈沖激光束的單脈沖能量為200mJ～1.5J，脈寬在10～1000ns，重復頻率10～1000Hz。

3.根據權利要求1所述深紫外激光退火設備中的屏蔽電極裝置，其特征在于，所述的承載片臺是一個可以做二維精確定位與移動的帶有加熱裝置的平臺，該平臺可以沿X-Y方向做勻速或步進運動，以此來實現激光束對整個圓片的均勻退火，片臺對襯底圓片進行加熱的溫度范圍為300～550℃。

4.根據權利要求1所述深紫外激光退火設備中的屏蔽電極裝置，其特征在于，所述屏蔽電極的小孔，當深紫外激光退火設備采用小圓形光斑，線掃描的方式對被加工的圓片進行退火時，小孔為一個尺寸略大于激光光斑的圓孔；當深紫外激光退火設備采用線束，通過面掃描的方式對被加工的圓片進行退火時，小孔為一個尺寸略大于激光光斑的矩形狹縫；當深紫外激光退火設備采用場步進的方式對被加工的圓片進行退火時，小孔為一個尺寸略大于激光光斑的矩形孔。

5.根據權利要求1所述深紫外激光退火設備中的屏蔽電極裝置，其特征在于，所述被加工圓片是指含有半導體材料的SOI、SGOI或GOI圓片。