1.一種可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)，所述VGA包括差分電路，所述差分電路包括第一負(fù)載電路、第二負(fù)載電路和源簡(jiǎn)并電路，其特征在于，所述差分電路還包括第一射隨器電路和第二射隨器電路，其中，所述第一射隨器電路的柵極或基極與所述差分電路的正向電壓輸入端相連，漏極或集電極與所述第一負(fù)載電路相連；所述第二射隨器電路的柵極或基極與所述差分電路的負(fù)向電壓輸入端相連，漏極或集電極與所述第二負(fù)載電路相連；所述兩個(gè)射隨器電路的源極或發(fā)射極分別連接到所述源簡(jiǎn)并電路的兩端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述第一射隨器電路包括第一運(yùn)算放大器和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)管，所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述正向電壓輸入端相連；所述第二射隨器電路包括第二運(yùn)算放大器和MOS管，所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述負(fù)向電壓輸入端相連；所述兩個(gè)運(yùn)算放大器的反相輸入端和所述MOS管的源極均與所述源簡(jiǎn)并電路相連；所述兩個(gè)運(yùn)算放大器的輸出端與所述MOS管的柵極相連；所述MOS管的漏極分別與各自運(yùn)算放大器對(duì)應(yīng)的負(fù)載電路相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述MOS管包括N型MOS管和P型MOS管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1權(quán)利要求所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述第一射隨器電路包括第一運(yùn)算放大器和三極管，所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述正向電壓輸入端相連；所述第二射隨器電路包括第二運(yùn)算放大器和三極管，所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述負(fù)向電壓輸入端相連；所述兩個(gè)運(yùn)算放大器的反相輸入端和所述三極管的發(fā)射極均與所述源簡(jiǎn)并電路相連；所述兩個(gè)運(yùn)算放大器的輸出端與所述三極管的基極相連；所述三極管的集電極與各自運(yùn)算放大器對(duì)應(yīng)的負(fù)載電路相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或4權(quán)利要求所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述第一負(fù)載電路和所述第二負(fù)載電路包括負(fù)載電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述負(fù)載電阻為可調(diào)電阻。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述源簡(jiǎn)并電路包括源簡(jiǎn)并電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述源簡(jiǎn)并電阻為可調(diào)電阻。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>

所述VGA位于射頻收發(fā)器中。