[發(fā)明專利]用于封裝一襯底的方法及裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110053331.8 | 申請(qǐng)日: | 2005-09-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102141679A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洛朗·帕爾瑪?shù)贍?/a>;威廉·J·卡明斯;布萊恩·J·加利;馬克·W·邁爾斯;杰弗里·B·桑普塞爾;克拉倫斯·徐;馬尼什·科塔里 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 高通MEMS科技公司 |
| 主分類號(hào): | G02B26/00 | 分類號(hào): | G02B26/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 沈錦華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 封裝 襯底 方法 裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其包括經(jīng)配置用于干涉調(diào)制光的可移動(dòng)鏡陣列,所述顯示裝置包括:
一透明襯底;
一干涉式調(diào)制器,其包括所述可移動(dòng)鏡陣列,且其中所述干涉式調(diào)制器經(jīng)配置以對(duì)透射穿過所述透明襯底的光進(jìn)行調(diào)制;及
一沉積的不需依靠支撐物的薄膜背板,其將所述可移動(dòng)鏡陣列密封在所述透明襯底與所述沉積的不需依靠支撐物的薄膜背板之間的一封裝內(nèi),且其中在所述可移動(dòng)鏡的整個(gè)陣列與所述沉積的不需依靠支撐物的薄膜背板之間存在一間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述間隙是通過移除一位于所述可移動(dòng)鏡陣列與所述沉積的不需依靠支撐物的薄膜背板之間的犧牲層來形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述沉積的不需依靠支撐物的薄膜背板含有一氣密性材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述沉積的不需依靠支撐物的薄膜是鎳。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述沉積的不需依靠支撐物的薄膜是鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其進(jìn)一步包括:
一與所述可移動(dòng)鏡陣列電相通的處理器,所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù);及
一與所述處理器電相通的存儲(chǔ)裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其進(jìn)一步包括:
一驅(qū)動(dòng)電路,其經(jīng)配置以將至少一信號(hào)發(fā)送至所述可移動(dòng)鏡陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其進(jìn)一步包括:
一控制器,其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送至所述驅(qū)動(dòng)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其進(jìn)一步包括:
一圖像源模塊,其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送至所述處理器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中所述圖像源模塊包括一接收器、收發(fā)器、及發(fā)射器中的至少一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其進(jìn)一步包括:
一輸入裝置,其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳送至所述處理器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述顯示裝置包括一蜂窩式電話。
13.一種制造一顯示裝置的方法,其包括經(jīng)配置用于干涉調(diào)制光的可移動(dòng)鏡陣列,所述方法包括:
提供一透明襯底;
在所述透明襯底上形成一干涉式調(diào)制器,其中所述干涉式調(diào)制器包括所述可移動(dòng)鏡陣列;及
在所述可移動(dòng)鏡陣列及所述透明襯底上沉積一不需依靠支撐物的薄膜背板,以將所述可移動(dòng)鏡陣列密封在所述透明襯底與所述不需依靠支撐物的薄膜背板之間,其中在所述可移動(dòng)鏡的整個(gè)陣列與所述不需依靠支撐物的薄膜背板之間存在一間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其進(jìn)一步包括:
在沉積所述不需依靠支撐物的薄膜背板之前,在所述干涉式調(diào)制器上沉積一犧牲層;及
在沉積所述不需依靠支撐物的薄膜背板之后,移除所述犧牲層,以便在所述干涉式調(diào)制器與所述不需依靠支撐物的薄膜背板之間提供所述間隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其進(jìn)一步包括將所述不需依靠支撐物的薄膜背板圖案化,以在所述不需依靠支撐物的薄膜背板中形成至少一個(gè)開口。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其進(jìn)一步包括將所述不需依靠支撐物的薄膜背板圖案化,以暴露出所述犧牲層的一部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述不需依靠支撐物的薄膜背板是由鋁形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述不需依靠支撐物的薄膜背板是由鎳形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述不需依靠支撐物的薄膜背板是由旋涂玻璃形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述不需依靠支撐物的薄膜背板是由一氣密性材料形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述犧牲層是由旋涂玻璃形成。
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