[發(fā)明專利]電遷移測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110051941.4
• 申請日: 2011-03-04
• 公開（公告）號: CN102655137A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甘正浩
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種電遷移測試結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)線段、第二導(dǎo)線段和第三導(dǎo)線段，所述第一導(dǎo)線段通過垂直設(shè)置的第一通孔插塞與所述第三導(dǎo)線段連接，所述第二導(dǎo)線段通過垂直設(shè)置的第二通孔插塞與所述第三導(dǎo)線段連接，其特征在于，還包括第一虛設(shè)導(dǎo)線段，所述第一虛設(shè)導(dǎo)線段與所述第三導(dǎo)線段連接，所述第一導(dǎo)線段介于所述第一虛設(shè)導(dǎo)線段與所述第二導(dǎo)線段之間，在所述電遷移測試結(jié)構(gòu)工作時，所述第一虛設(shè)導(dǎo)線段有電流通過。

2.如權(quán)利要求1所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)線段為陰極測試端，所述第二導(dǎo)線段為陽極測試端。

3.如權(quán)利要求1所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一虛設(shè)導(dǎo)線段的長度小于20um。

4.如權(quán)利要求1所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一虛設(shè)導(dǎo)線段一端與所述第三導(dǎo)線段連接，另一端通過垂直設(shè)置的第三通孔插塞與第四導(dǎo)線段連接。

5.如權(quán)利要求1所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述電遷移測試結(jié)構(gòu)工作時，所述第一虛設(shè)導(dǎo)線段中的電流小于所述第三導(dǎo)線中電流的1/3。

6.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二虛設(shè)導(dǎo)線段，所述第二導(dǎo)線段介于所述第二虛設(shè)導(dǎo)線段與所述第一導(dǎo)線段之間，所述第二虛設(shè)導(dǎo)線段與所述第三導(dǎo)線段連接，在所述電遷移測試結(jié)構(gòu)工作時，所述第二虛設(shè)導(dǎo)線段有電流通過。

7.如權(quán)利要求6所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二虛設(shè)導(dǎo)線段的長度小于20um。

8.如權(quán)利要求6所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二虛設(shè)導(dǎo)線段的一端與所述第三導(dǎo)線段連接，另一端通過垂直設(shè)置的第四通孔插塞與第五導(dǎo)線段連接。

9.如權(quán)利要求6所述的電遷移測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述電遷移測試結(jié)構(gòu)工作時，所述第二虛設(shè)導(dǎo)線段中的電流小于所述第三導(dǎo)線中電流的1/3。