[發明專利]電介質瓷組成物以及電子零件有效
| 申請號: | 201110043312.7 | 申請日: | 2011-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN102190489A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 佐藤大輔;渡邊松巳;工藤亮;日高優貴 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | C04B35/47 | 分類號: | C04B35/47;C04B35/46;H01G4/12 |
| 代理公司: | 上海天翔知識產權代理有限公司 31224 | 代理人: | 劉粉寶 |
| 地址: | 日本東京都中*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電介質 組成 以及 電子零件 | ||
技術領域
本發明涉及使用于電子零件的電介質層等的電介質瓷組成物,更詳細地說,涉及能夠在高頻區域降低電介質損耗,而且能夠顯示出高介電常數同時有良好的溫度特性的電介質瓷組成物以及使用該電介質瓷組成物的電子零件。
背景技術
近年來,隨著急速發展的電氣設備的高性能化,電路的小型化、復雜化也再度急速發展。因此電子零件也要求更加小型化、高性能化,例如,要求在規定的溫度區域介電常數(電容量)的溫度特性良好的電介質瓷組成物。
電介質溫度特性根據所要求的特性有各種標準存在,例如有JIS標準的SL特性。滿足該SL特性的電介質瓷組成物有例如SrTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2系的電介質瓷組成物等,但是介電常數較低,為200~300左右,存在不能夠滿足小型化、高性能化要求的問題。
另一方面,在日本專利特開昭50-68000號公報中記載有SrTiO3-Bi2O3-TiO2-MgO系的電介質瓷組成物。這種電介質瓷組成物,其介電常數較高,但是介電常數溫度特性較差。
發明內容
本發明是鑒于這種實際情況而作出的,其目的在于,提供能夠使用于陶瓷電容器等電子零件的電介質層,在高頻區域能夠降低電介質損耗,而且介電常數的溫度特性優異,具有高介電常數的電介質瓷組成物。又,本發明的目的還在于提供用這樣的電介質瓷組成物得到的電子零件。
為了實現上述目的,本發明的電介質瓷組成物,其特征在于,含有以SrTiO3換算,29.34~44.70重量%的氧化鍶、以Bi2O3換算,22.56~28.48重量%的氧化鉍、以TiO2換算,26.36~30.27重量%的氧化鈦、以MgO換算,3.61~5.56重量%的氧化鎂、以Nd2O3換算,1.86~3.42重量%的氧化釹、以MnO換算,0.21~0.99重量%的氧化錳、以及以SiO2換算,0.06~0.50重量%的氧化硅。
本發明的電介質瓷組成物由于各成分采取上述組成和含量,能夠得到在高頻區域降低電介質損耗,同時具有高介電常數和良好的溫度特性的電介質瓷組成物。
如果采用本發明,則能夠提供具有以上面所述電介質瓷組成物構成的電介質層的電子零件。本發明的電子零件沒有特別限定,可以是例如液晶面板的背光用零件或樹脂模塊化的表面安裝零件等。
本發明的電介質瓷組成物,其各成分的比例在上述規定范圍內。其結果是,能夠在高頻區域降低電介質損耗,而且介電常數的溫度特性優異,能夠得到介電常數高的電介質瓷組成物。
通過將這樣的本發明的電介質瓷組成物使用于陶瓷電容器等電子零件的電介質層,能夠提供高性能而且小型化(矮化)的電子零件。
附圖說明
圖1A是本發明一實施形態的陶瓷電容器的正視圖,圖1B是本發明一實施形態的陶瓷電容器的側面剖面圖。
具體實施方式
下面根據圖示的實施形態對本發明進行說明。
陶瓷電容器2如圖1A和圖1B所示,本實施形態的陶瓷電容器2形成具有電介質層10、在其相對的表面形成的一對端子電極12、14、以及在該端子電極12、14上分別連接的引線端子6、8的結構,這些構件用保護樹脂4覆蓋。陶瓷電容器2的形狀根據其目的和用途適當決定即可,但是在本實施形態中,是電介質層10形成圓板形狀的圓板型電容器。而且其尺寸也根據目的和用途適當決定即可,但是通常直徑為2.5~14.5mm左右,最好是3.0~4.0mm左右。
電介質層10電介質層10由本實施形態的電介質瓷組成物構成,本實施形態的電介質瓷組成物含有氧化鍶、氧化鉍、氧化鈦、氧化鎂、氧化釹、氧化錳、氧化硅。各成分的含量如下所示。
氧化鍶的含量,以SrTiO3換算,以29.34~44.70重量%為宜,33.12~41.62重量%則更理想,最好是37.83~37.99重量%。
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