[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110041839.6
• 申請日: 2008-02-27
• 公開（公告）號: CN102136429A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 山川真彌;館下八州志
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種制造半導體器件的方法，其特征在于包括：

在半導體襯底上形成犧牲柵極、接著在所述犧牲柵極的每個側壁上形成側壁絕緣膜、以及在所述半導體襯底中在所述犧牲柵極的兩側形成源極/漏極區域的步驟；

沿所述側壁絕緣膜而在半導體襯底上方形成應力施加膜的步驟；

通過移除所述犧牲柵極形成溝槽的步驟；以及

經由柵極絕緣膜而在所述半導體襯底上的所述溝槽內形成柵電極的步驟。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：

所述犧牲柵極通過連續在所述半導體襯底上層疊犧牲柵極絕緣膜和犧牲柵極形成膜并對所述犧牲柵極形成膜進行圖案化而形成，以及

當移除所述犧牲柵極時，移除形成在所述犧牲柵極的底部的所述犧牲柵極絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：

所述方法還包括：

在所述應力施加膜上形成絕緣膜，

拋光所述絕緣膜直至暴露出犧牲柵極，并且在所述拋光處理之后進行形成所述溝槽的處理。

4.一種制造半導體器件的方法，其特征在于包括：

在所述半導體襯底上在n型晶體管形成區域和p型晶體管形成區域中均形成犧牲柵極、接著在各個所述犧牲柵極的側壁上形成側壁絕緣膜以及在所述半導體襯底中在各個所述犧牲柵極的兩側形成源極/漏極區域的步驟；

沿所述側壁絕緣膜而在所述半導體襯底上方的所述n型晶體管形成區域中形成第一應力施加膜的步驟；

沿所述側壁絕緣膜而在所述半導體襯底上方的所述p型晶體管形成區域中形成第二應力施加膜的步驟；

通過移除各個所述犧牲柵極形成溝槽的步驟；以及

經由柵極絕緣膜而在所述半導體襯底上所述溝槽內形成柵電極的步驟。

5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：

所述犧牲柵極通過連續在所述半導體襯底上層疊犧牲柵極絕緣膜和犧牲柵極形成膜并對所述犧牲柵極形成膜進行圖案化而形成，以及

當移除所述犧牲柵極時，移除形成在所述犧牲柵極的底部的所述犧牲柵極絕緣膜。

6.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：

在形成所述柵電極后，在所述n型晶體管或在所述n型晶體管以及p型晶體管上形成第三應力施加膜。

7.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：

通過應力施加源形成所述p型晶體管中的所述源極/漏極區域。

8.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：

通過在形成用于形成所述半導體襯底的所述源極/漏極區域的區域中形成溝槽后在所述溝槽中外延生長硅鍺層而形成所述應力施加源。