[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片及使用它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110040150.1 | 申請(qǐng)日： | 2008-03-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102134451A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中村祐樹(shù);北勝勉;片山陽(yáng)二;畠山惠一 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 日立化成工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C09J7/00 | 分類(lèi)號(hào)： | C09J7/00;C09J179/08;C09J183/10;C09J7/02;H01L21/58;H01L21/68;H01L21/78;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 用粘接膜 復(fù)合 使用 它們 芯片 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體用粘接薄膜，
其含有聚酰亞胺樹(shù)脂，并且能夠在100℃以下貼附于半導(dǎo)體晶片，所述聚酰亞胺樹(shù)脂能夠利用以總體的50質(zhì)量％以上的比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的70質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)來(lái)得到，
式(II)中，R表示碳數(shù)為1～5的烷基、碳數(shù)為1～5的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個(gè)R可以相同或不同，n及m分別獨(dú)立地表示1～3的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其中，
所述聚酰亞胺樹(shù)脂的玻璃化溫度為30℃以上、80℃以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其中，
所述半導(dǎo)體用粘接薄膜還含有熱固化性成分及填充劑，
所述填充劑的含量相對(duì)于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的質(zhì)量小于30質(zhì)量％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其用于如下的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，
所述半導(dǎo)體芯片的制造方法具有：
準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，按照將所述半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從所述半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；
通過(guò)將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其用于如下的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，
所述半導(dǎo)體芯片的制造方法具有：
準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，沿著將所述半導(dǎo)體晶片劃分為多個(gè)半導(dǎo)體芯片的線(xiàn)利用激光加工在所述半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部；
通過(guò)將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體晶片分割為所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述改質(zhì)部分割的工序。
6.一種復(fù)合片，
其具有權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，和層疊于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的一面?zhèn)鹊那懈钅z帶。
7.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有：
準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，按照將所述半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從所述半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；
通過(guò)將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。
8.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有：
準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，沿著將所述半導(dǎo)體晶片劃分為多個(gè)半導(dǎo)體芯片的線(xiàn)利用激光加工在所述半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部；
通過(guò)將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體晶片分割為所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述改質(zhì)部分割的工序。
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