[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201110039254.0 | 申請日: | 2011-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN102456704A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 金泰坤;咸允植;黃誠誅;安致旭 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光顯示裝置。
背景技術
通常,可將平板顯示裝置(flat?display?device)大致分為發光型和受光型。作為發光型有平板陰極射線管(flat?cathode?ray?tube)、等離子顯示面板(plasma?display?panel)、電致發光器件(electro?luminescentdevice)、發光二極管(light?emitting?diode)等。作為受光型有液晶顯示器(liquid?crystal?display)等。其中,電致發光器件不僅具有視角廣、對比度優異的優點,而且還具有響應速度快的優點,因此,其作為下一代顯示器件而受人矚目。按照形成發光層的物質,這種電子發光器件區分為無機電致發光器件和有機電致發光器件。
其中,有機電致發光器件是通過電激發(excitation)熒光性有機化合物以發光的自發光型顯示器,可以以低電壓驅動、便于薄型化,并且可以解決存在于液晶顯示器中的問題,例如:廣視角、快的響應速度等問題,進而作為下一代顯示器而受人矚目。
在有機電致發光器件中,在陽電極和陰電極之間具有以有機物形成的發光層。隨著對有機電致發光器件中的這些電極分別施加陽極電壓以及陰極電壓,從陽電極注入的空穴(hole)經由空穴傳輸層而移動至發光層,電子從陰電極經由電子傳輸層而移動至發光層,從而在發光層電子和空穴復合而生成激子(exciton)。
隨著所述激子從激發態變為基態,發光層的熒光性分子發光,從而形成圖像。在全色(full?color)型有機電致發光器件中,通過具有發出紅(R)、綠(G)、藍(B)三種顏色的像素(pixel),以實現全色。
在如上所述的有機電致發光器件中,在陽電極的兩端部形成有像素定義膜(Pixel?Define?Layer)。并且,在該像素定義膜上形成預定的開口之后,在因形成開口而被露出在外部的陽電極的上部,依次形成發光層以及陰電極。
發明內容
本發明的主要目的在于減小具有共振結構的有機發光顯示裝置的不良率、提高生產率。
根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置包括:基板,劃分有多個像素區域;第一電極,形成于所述基板上的各個所述像素區域,并劃分有第一發光區域和第二發光區域;第一中間層,形成于所述第一電極的所述第一發光區域上;第二中間層,形成于所述第一電極的所述第二發光區域上;第二電極,設置于所述第一電極和所述第二中間層之間;以及第三電極,形成于所述第一中間層以及所述第二中間層上;在所述第一中間層中發生的光透過所述第一電極和所述第三電極,在所述第二中間層中發生的光透過所述第三電極。
在本發明中,所述基板能夠使在所述第一中間層中發生的光透過。
在本發明中,所述第一電極能夠使在所述第一中間層中發生的光透過。
在本發明中,所述第一電極是透明電極。
在本發明中,所述第一電極由ITO、IZO、ZnO以及In2O3中的任意一種形成。
在本發明中,所述第一電極由已被結晶化的ITO形成。
在本發明中,所述第二電極反射在所述第二中間層中發生的光。
在本發明中,所述第二電極由層疊于所述第一電極上的多個金屬層形成。
在本發明中,所述第二電極由層疊于所述第一電極上的第一金屬層和第二金屬層形成。
在本發明中,所述第一金屬層由反射在所述第二中間層中發生的光的金屬形成;所述第二金屬層由透過在所述第二中間層中發生的光的金屬形成。
在本發明中,所述第一金屬層由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、以及這些金屬的化合物和混合物中的任意一種形成;所述第二金屬層由ITO、IZO、ZnO以及In2O3中的任意一種形成。
在本發明中,所述第二電極還包括:第三金屬層,位于所述第一電極和所述第一金屬層之間。
在本發明中,所述第三金屬層由ITO、IZO、ZnO以及In2O3中的任意一種形成。
在本發明中,所述第一電極的厚度大于所述第二金屬層以及所述第三金屬層的厚度。
在本發明中,分別在所述第一中間層和所述第二中間層中發生的光的光學距離相同,以起到相同的共振效果。
在本發明中,所述第一中間層的厚度與所述第二中間層的厚度相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





