[發明專利]凸點焊盤結構的多方向設計有效
| 申請號： | 201110035323.0 | 申請日： | 2011-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN102148204A | 公開（公告）日： | 2011-08-10 |
| 發明（設計）人： | 陳志華;陳承先;郭正錚;劉醇鴻 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 點焊 盤結 多方 設計 | ||
1.一種集成電路結構，包括：
半導體芯片，具有第一區域和第二區域；
介電層，形成在所述半導體芯片的所述第一區域和所述第二區域上；
第一伸長凸點下金屬化(UBM)連接件，形成在所述半導體芯片的所述第一區域上的介電層中，并且具有在第一方向上延伸的第一長軸；以及
第二伸長UBM連接件，形成在所述半導體芯片的所述第二區域上的介電層中，并且具有在第二方向上延伸的第二長軸，其中，所述第一方向與所述第二方向不同。
2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一區域是與所述半導體芯片的第一邊相鄰的第一邊芯片區域，以及其中，所述第一方向平行于所述第一邊。
3.根據權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述第二區域是與所述半導體芯片的第二邊相鄰的第二邊芯片區域，其中，所述第一邊垂直于所述第二邊，以及其中，所述第二方向平行于所述第二邊。
4.根據權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述第二區域是與所述半導體芯片的角相鄰的角芯片區域，以及其中，所述第二方向不平行于所述半導體芯片的任一邊。
5.根據權利要求4所述的集成電路結構，其中，所述第二方向垂直于連接所述半導體芯片的角和中心的線。
6.根據權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述第二區域是包含所述半導體芯片中心的中心芯片區域。
7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一伸長UBM連接件進一步包含垂直于所述第一長軸的第一短軸，以及其中，所述第一長軸與所述第一短軸的比率大于約1.5。
8.根據權利要求7所述的集成電路結構，其中，所述比率大于約3。
9.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述介電層是聚酰亞胺層。
10.一種集成電路結構，包括：
半導體芯片，具有第一區域和第二區域；
介電層，形成在所述半導體芯片的所述第一區域和所述第二區域上；
第一凸點下金屬化(UBM)連接件，形成在所述半導體芯片的所述第一區域上的介電層中，并且具有從上向下觀察的第一形狀；以及
第二凸點下金屬化(UBM)連接件，形成在所述半導體芯片的所述第二區域上的介電層中，并且具有從上向下觀察的第二形狀，其中，所述第一形狀與所述第二形狀不同。
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