[發(fā)明專(zhuān)利]電光學(xué)裝置用基板、電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110035087.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-02-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102163607A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐藤尚 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 精工愛(ài)普生株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/02;H01L29/786;H01L51/05;G02F1/167 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 陳海紅;徐健 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 裝置 用基板 以及 電子設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置用基板、具有該電光學(xué)裝置用基板的電光學(xué)裝置以及具有該電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)
作為這種電光學(xué)裝置用基板的一個(gè)例子,例如有如下這樣的有源矩陣基板:用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電泳顯示裝置等的電光學(xué)裝置,在基板上具有像素電極、用于選擇性驅(qū)動(dòng)該像素電極的掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)、以及作為像素開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT:Thin?Film?Transistor)。以上的構(gòu)成要素在基板上形成積層構(gòu)造。各構(gòu)成要素由層間絕緣膜分隔而配置在各層,并且經(jīng)由形成于層間絕緣膜的接觸孔(或者也稱(chēng)為“過(guò)孔”)適當(dāng)?shù)仉娺B接。
例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了通過(guò)使用印刷法在應(yīng)成膜的區(qū)域限定地涂覆材料而制造有機(jī)薄膜晶體管的技術(shù)。根據(jù)這樣的技術(shù),能夠減少用于形成接觸孔的蝕刻工序。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009-38337號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
但是,在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中,關(guān)于用于將單個(gè)或多個(gè)晶體管的端子之間電連接的連接線(xiàn),依然采用蝕刻等方法來(lái)形成。因此,存在如下的技術(shù)問(wèn)題:在形成這樣的連接線(xiàn)時(shí),需要遍及基板的整個(gè)面地進(jìn)行成膜,存在因在該膜內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力而使基板發(fā)生彎曲的危險(xiǎn)。此外,由于在進(jìn)行圖案形成時(shí)形成于基板整個(gè)面的絕緣膜的一部分被去除而浪費(fèi)掉,因此還存在違反節(jié)省資源、低成本的要求的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明是鑒于例如上述的問(wèn)題而做出的,其目的在于提供一種能夠應(yīng)對(duì)節(jié)省資源及低成本的要求、且能夠抑制基板的彎曲的電光學(xué)裝置用基板、電光學(xué)裝置及電子設(shè)備。
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明的電光學(xué)裝置用基板是具有排列有多個(gè)像素的顯示區(qū)域的電光學(xué)裝置用基板,包括:基板;像素電極,其按所述基板上的每個(gè)所述像素而設(shè)置;晶體管,其設(shè)于與所述基板上的所述像素電極相比的下層側(cè);連接電極,其配置在與構(gòu)成該晶體管的柵極絕緣膜相比的上層側(cè),在所述基板上的未形成所述柵極絕緣膜的區(qū)域內(nèi),該連接電極形成為與所述晶體管的柵電極以及源、漏電極的至少一部分直接重疊,與所述晶體管電連接。
根據(jù)本發(fā)明的電光學(xué)裝置用基板,在例如矩陣狀地排列有多個(gè)像素的顯示區(qū)域(適當(dāng)?shù)匾卜Q(chēng)為像素區(qū)域或像素顯示區(qū)域),對(duì)按像素設(shè)置的像素電極施加圖像信號(hào),從而能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的有源矩陣方式的圖像顯示。
本發(fā)明的“晶體管”設(shè)于與基板上的像素電極相比的下層側(cè)。晶體管是例如按像素而設(shè)置的、與像素電極電連接的像素晶體管。該情況下,晶體管排列在矩陣狀地排列有多個(gè)像素的顯示區(qū)域中,作為各像素的開(kāi)關(guān)元件發(fā)揮功能,從而能進(jìn)行例如所謂的有源矩陣方式的圖像顯示。另外,晶體管可以是設(shè)于周邊區(qū)域(即位于顯示區(qū)域周邊的區(qū)域)的周邊晶體管。此時(shí),晶體管例如被用作用于構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路(即X驅(qū)動(dòng)電路、Y驅(qū)動(dòng)電路)的電路元件,該驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行例如驅(qū)動(dòng)頻率高的驅(qū)動(dòng)方式中的較高速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作、進(jìn)一步進(jìn)行電流放大動(dòng)作或電流控制動(dòng)作、整流動(dòng)作、電壓保持動(dòng)作等。作為周邊晶體管的用途,只要是與該電光學(xué)裝置的電光學(xué)工作相關(guān),則無(wú)任何限定。
晶體管包括選擇性地設(shè)置在基板上的預(yù)定區(qū)域的柵極絕緣膜。在此,“選擇性地設(shè)于基板上的預(yù)定區(qū)域”是指僅設(shè)置在基板上的預(yù)定區(qū)域,換言之,僅設(shè)置在基板上的一部分區(qū)域。例如,通過(guò)噴墨法等涂覆法在基板上應(yīng)形成的區(qū)域涂覆絕緣材料而形成柵極絕緣膜。這樣選擇地設(shè)置的柵極絕緣膜,與遍及基板整個(gè)面而層疊絕緣材料后進(jìn)行圖案形成來(lái)形成柵極絕緣膜的情況相比,在其形成過(guò)程中不產(chǎn)生浪費(fèi)材料。因此,能夠應(yīng)對(duì)節(jié)省資源及低成本的要求。另外,由于不在基板整個(gè)面上形成柵極絕緣膜,因此能夠抑制基板的應(yīng)力。
晶體管可以是柵電極在基板上的層疊構(gòu)造中配置于與半導(dǎo)體層相比的上層側(cè)的頂柵型晶體管,也可以是柵電極在基板上的層疊構(gòu)造中配置于與半導(dǎo)體層相比的下層側(cè)的底柵型晶體管,還可以是柵電極配置于半導(dǎo)體層的上層側(cè)和下層側(cè)雙方的雙柵型晶體管。
本發(fā)明的“連接電極”形成在基板上的未形成柵極絕緣膜的區(qū)域內(nèi)。連接電極是用于將周邊晶體管與其他導(dǎo)電層(例如形成于基板上的用于實(shí)現(xiàn)電光學(xué)工作的各種布線(xiàn)、元件等)電連接的電極,例如由鋁等導(dǎo)電材料形成。在形成連接電極的區(qū)域不形成柵極絕緣膜,成為連接電極的連接對(duì)象即各種布線(xiàn)、元件等的導(dǎo)電層露出的狀態(tài)。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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