[發明專利]雙層柵溝槽MOS結構中形成底部氧化層的方法

無效

• 申請號: 201110021566.9
• 申請日: 2011-01-19
• 公開（公告）號: CN102610522A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 李陸萍;叢茂杰;金勤海
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/316
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種雙層柵溝槽MOS結構中形成底部氧化層的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，溝槽形成后，先在溝槽內壁和襯底表面生長一層氧化層；

步驟二，接著采用HDP工藝淀積氧化層，在所述溝槽內形成預定厚度的HDP氧化層；

步驟三，而后去除位于所述溝槽側壁的氧化層；

步驟四，在溝槽側壁形成氧化層，完成雙層柵功率MOS結構中底部氧化層的制備。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在下層柵形成之后，再次采用HDP工藝淀積氧化層，填充所述溝槽；之后采用化學機械研磨法去除位于所述襯底上的氧化層，平整化襯底表面。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟四中，在溝槽側壁形成氧化層包括先采用熱氧氧化法，后采用高溫氧化法。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟三中溝槽側壁氧化層的去除采用濕法腐蝕法。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于：所述步驟三中溝槽側壁氧化層的去除采用濕法腐蝕法。