[發明專利]銩鈥共摻鋁酸釔鈣激光晶體的生長方法無效
| 申請號： | 201110008857.4 | 申請日： | 2011-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN102051684A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 徐曉東;周大華;吳鋒;狄聚青;李東振 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B15/00;C30B15/04 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 張澤純 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銩鈥共摻鋁酸釔鈣 激光 晶體 生長 方法 | ||
1.一種銩鈥共摻鋁酸釔鈣激光晶體的生長方法，其特征在于包括下列步驟：
①采用中頻感應加熱提拉法生長Tm/Ho:CaYAlO4晶體，發熱體為銥坩堝，該晶體的原料按照下列反應式的摩爾比稱取：
2CaCO3+(1-x-y)Y2O3+xHo2O3+yTm2O3+Al2O3＝2CaY(1-x-y)HoxTmyAlO4+2CO2
其中x和y的取值范圍為：0＜x≤0.008，0＜y≤0.12；
②將所述的原料研混均勻后，在液壓機下壓緊成塊，并在馬弗爐中1200℃燒結10小時，發生固相反應，燒結好的塊料裝入銥坩堝并裝入提拉單晶爐；
③所述的單晶爐抽高真空，然后充入氮氣氣氛，生長溫度1810℃，晶體提拉速度1-2mm/h，旋轉速度10-20rpm；
④將籽晶深入熔體，經晶體縮頸，放肩，等徑生長，收尾階段，將晶體從熔體中拉脫，然后緩慢降低提拉爐內溫度至室溫；。
⑤停爐，打開保溫罩，從提拉生長單晶爐內取出籽晶架，取出晶體，得到銩鈥共摻鋁酸釔鈣激光晶體。
2.根據權利要求1所述的銩鈥共摻鋁酸釔鈣激光晶體的生長方法，其特征是在提拉爐內升至1810℃后，繼續升高爐內溫度至1820～1900℃，并保持0.5～1小時，讓熔液體充分融化混合。
3.根據權利要求1所述的銩鈥共摻鋁酸釔鈣激光晶體的生長方法，其特征是所述的籽晶成分為CaYAlO4，或Tm/Ho:CaYAlO4，籽晶端面方向為[100]，[101]，或[001]。
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