[發明專利]一種具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法

有效

• 申請號: 201110007744.2
• 申請日: 2011-01-14
• 公開（公告）號: CN102157607A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 沈輝;陳開漢
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于含下述步驟：

(1)按照常規晶體硅太陽電池制造工藝，制備出擴散后且單面鍍有減反射膜的晶體硅片；

(2)在晶體硅片未鍍有減反射膜的一面印刷太陽電池背面電極、旁路二極管背面電極、太陽電池背面電場、旁路二極管背面電場，在晶體硅片鍍有減反射膜的一面印刷太陽電池正面電極、旁路二極管正面電極，背面印刷與正面印刷不分先后次序，每次印刷后各自烘干即可；

(3)將步驟(2)的晶體硅片燒結后在晶體硅片局部區域形成p-n結方向與主體太陽電池p-n結方向相同的旁路二極管，再將旁路二極管與主體太陽電池隔離后制得具有旁路二極管的晶體硅太陽電池，最后用互連條將制得的太陽電池連接成組件。

2.根據權利要求1所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述的晶體硅片為p型單晶硅片、p型多晶硅片、n型單晶硅片或n型多晶硅片。

3.根據權利要求1所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述的旁路二極管印刷為絲網印刷，絲網印刷網版的圖案為多邊形。

4.根據權利要求3所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：所述的多邊形為矩形、圓形或三角形。

5.根據權利要求1所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述的旁路二極管位于晶體硅太陽電池邊緣區域或晶體硅太陽電池中心區域。

6.根據權利要求1所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(2)中兩背面電場之間預留有用于激光刻槽的局部空白區域，兩正面電極之間也預留有用于激光刻槽的局部空白區域。

7.根據權利要求1所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(2)中絲網印刷采用的漿料為銀鋁漿、銀漿或鋁漿，且在硅片的同一面上印刷旁路二極管的漿料與主體太陽電池的漿料極性相同，經燒結后形成的旁路二極管p-n結方向與主體太陽電池p-n結方向相同。

8.根據權利要求1所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(3)中采用激光刻槽工藝將旁路二極管與主體太陽電池隔離。

9.根據權利要求8所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：采用的激光刻槽的參數為：功率1-1000W、波長1100-200nm的脈沖或連續激光光束。

10.根據權利要求2所述的具有旁路二極管的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于：步驟(3)中通過互連條將各個晶體硅太陽電池連接成組件，并用互連條將旁路二極管與相鄰的另一硅片上的主體太陽電池并聯從而保護相鄰的另一片晶體硅太陽電池。