[發明專利]532nm半高斯激光束發生器

有效

• 申請號: 201110005840.3
• 申請日: 2011-01-12
• 公開（公告）號: CN102097741A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 尹亞玲;呂新杰;趙麗娜;袁燁;祝世寧
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01S3/107
• 分類號: H01S3/107
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 陳建和

1.532nm半高斯激光束發生器，其特征是包括泵浦光源、準直系統、柱透鏡、一片側向調制的周期性極化的光學超晶格、控溫爐、對1064nm激光的濾波系統；周期性極化的光學超晶格材料為LiTaO₃，周期為7.505μm，用以實現1064nm激光頻率轉換為532nm激光，所述超晶格的極化疇邊緣在晶體的通光方向分布為e指數型；泵浦光源發出的1064nm的高斯激光入射到準直系統、經柱透鏡聚焦到光學超晶格中，并且超晶格的疇邊緣通過入射的泵浦光源的高斯激光束的中心；在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反鏡以及干涉濾波片構建的濾波系統濾掉出射光束中的1064nm泵浦光，得到純凈的532nm半高斯激光。

2.根據權利要求1所述的532nm半高斯激光束發生器，其特征是泵浦光源出射激光模式是TEM₀₀模，光強分布為高斯型。

3.根據權利要求1所述的532nm半高斯激光束發生器，其特征是準直系統，將泵浦光束準直為平行光束，且設置為不同的放大率，將泵浦光束擴束或者縮束到所需要的光束大小。

4.根據權利要求1所述的532nm半高斯激光束發生器，其特征是泵浦光源是連續的或脈沖的，出光亦為相應的連續的、脈沖的半高斯激光束。

5.根據權利要求1所述的532nm半高斯激光束發生器，其特征是光學超晶格的極化疇可以為準周期、雙周期和非周期，從而將該發生器拓展到多種不同的非線性光學過程。因此可以得到不同波長的半高斯激光束的輸出。

6.根據權利要求1所述的532nm半高斯激光束發生器，其特征是光學超晶格的基質材料包括同成分LiTaO₃、同成分LiNbO₃、化學計量比LiTaO₃、化學計量比LiNbO₃、摻MgO的LiNbO₃或摻MgO的LiTaO₃。