[發(fā)明專利]薄膜電子元件的單片化方法及由其制造的電子元件搭載粘著性薄片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110005767.X | 申請(qǐng)日: | 2011-01-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102163542A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 前島和彥;倉(cāng)知克行 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TDK株式會(huì)社;新科實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/304;H01L21/68;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 電子元件 單片 方法 制造 搭載 粘著 薄片 | ||
1.一種薄膜電子元件的單片化方法,其特征在于,
具備:
準(zhǔn)備工序,準(zhǔn)備第1基板,在所述第1基板的上面形成有相互分離的2個(gè)薄膜電子元件部;
貼合工序,準(zhǔn)備第2基板,以該第2基板經(jīng)由所述薄膜電子元件部與所述第1基板相對(duì)的方式,通過粘結(jié)層將所述第1基板與所述第2基板貼合;
露出工序,除去所述第1基板而使所述薄膜電子元件部與所述粘結(jié)層露出;
貼附工序,將露出的所述薄膜電子元件部和所述粘結(jié)層與粘著性薄片貼附,所述粘著性薄片包含因加熱而使粘著力下降的材料;
除去工序,從貼附有所述粘著性薄片的所述薄膜電子元件部以及所述粘結(jié)層除去所述第2基板;
露出工序,從所述粘著性薄片以及所述薄膜電子元件部剝離所述粘結(jié)層而露出所述薄膜電子元件部;以及
分離工序,通過加熱所述粘著性薄片而使露出的所述薄膜電子元件部從所述粘著性薄片分離。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電子元件的單片化方法,其特征在于,
所述粘著性薄片包含發(fā)泡性的材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電子元件的單片化方法,其特征在于,
所述2個(gè)薄膜電子元件部之間的間隔大于所述粘結(jié)層的厚度。
4.一種電子元件搭載粘著性薄片,其特征在于,
具備:
粘著性薄片;以及
設(shè)置于所述粘著性薄片上的2個(gè)薄膜電子元件部,
所述粘著性薄片包含因加熱而使粘著力下降的材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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