[發明專利]粘接劑組合物、薄膜、薄片、半導體晶圓、半導體裝置無效
| 申請號: | 201110005753.8 | 申請日: | 2006-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN102174296A | 公開(公告)日: | 2011-09-07 |
| 發明(設計)人: | 川守崇司;增子崇;加藤木茂樹;安田雅昭 | 申請(專利權)人: | 日立化成工業株式會社 |
| 主分類號: | C09J4/06 | 分類號: | C09J4/06;C09J4/02;C09J7/00;C09J7/02;G03F7/004;G03F7/037;H01L21/20;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;李昆岐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘接劑 組合 薄膜 薄片 半導體 裝置 | ||
1.一種感光性粘接劑組合物,其含有(A)聚酰亞胺、(B)放射線聚合性化合物、及(C)光聚合引發劑,包含該感光性粘接劑組合物的粘接劑層在被粘接物上形成,通過光掩模,曝光所述粘接劑層,利用堿性水溶液將曝光后的所述粘接劑層進行顯影從而形成粘接劑圖案,通過所述粘接劑圖案能夠在所述被粘接物上粘接其他被粘接物。
2.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,進一步含有(D)熱固化性樹脂。
3.根據權利要求2所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述熱固化性樹脂為環氧樹脂。
4.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述聚酰亞胺為具有羧基作為側鏈的聚酰亞胺。
5.根據權利要求4所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述聚酰亞胺是使四羧酸二酐與含有下述通式(I)或(II)所表示的芳香族二胺的二胺反應而得到的聚酰亞胺,
6.根據權利要求5所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述二胺進一步含有下述通式(III)所示的脂肪族醚二胺,該脂肪族醚二胺的含量為二胺整體的10~90摩爾%,
式中,Q1、Q2及Q3各自獨立地表示碳原子數1~10的亞烷基,n1表示1~80的整數。
7.根據權利要求5所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述二胺進一步含有下述通式(IV)所示的硅氧烷二胺,該硅氧烷二胺的含量為二胺整體的1~20摩爾%,
式中,R1及R2各自獨立地表示碳原子數1~5的亞烷基或者沒有取代基或具有取代基的亞苯基,R3、R4、R5及R6各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、苯基或苯氧基,n2表示1~5的整數。
8.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述聚酰亞胺的重均分子量為5000~150000。
9.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述聚酰亞胺的玻璃化溫度是150℃以下。
10.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,所述放射線聚合性化合物的分子量為2000以下,相對于100重量份的聚酰亞胺,所述感光性粘接劑組合物含有20重量份以上的所述放射線聚合性化合物。
11.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,通過該感光性粘接劑組合物將硅芯片粘接于玻璃基板時,得到在25℃為5MPa以上的剪切粘接力。
12.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,通過該感光性粘接劑組合物將硅芯片粘接于玻璃基板時,得到在260℃為0.5MPa以上的剪切粘接力。
13.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,曝光后的100℃的儲存彈性模量是0.01~10MPa。
14.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,曝光后,進而經加熱固化后的在260℃的儲存彈性模量是1MPa以上。
15.根據權利要求1所述的感光性粘接劑組合物,其中,曝光后,進而經加熱固化后的熱重量分析的質量減少率成為5%的溫度是260℃以上。
16.一種粘接薄膜,其包含權利要求1至15中任一項所述的感光性粘接劑組合物。
17.一種粘接薄片,其具備基材和設置于基材的一個面上的權利要求16所述的粘接薄膜。
18.一種粘接劑圖案,其通過在被粘接物上形成包含權利要求1至15中任一項所述的感光性粘接劑組合物的粘接劑層,通過光掩模,曝光該粘接劑層,利用堿性水溶液將曝光后的粘接劑層進行顯影處理而形成。
19.一種帶粘接劑層的半導體晶圓,其具備半導體晶圓和設置于半導體晶圓的一個面上的包含權利要求1至15中任一項所述的感光性粘接劑組合物的粘接劑層。
20.一種半導體裝置,其具有使用權利要求1至15中任一項所述的感光性粘接劑組合物粘接于被粘接物的半導體芯片。
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