[發明專利]發光二極管晶粒及其制造方法、發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201110005426.2
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102593302A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 凃博閔;黃世晟;林雅雯
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
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技術領域

本發明涉及一種發光二極管及其制造方法。

背景技術

在現有技術中，發光二極管封裝結構一般需要打金線以將發光二極管晶粒的電極與基板的焊墊電連接，發光二極管晶粒的出光一側需要設置相應的厚金屬電極及焊球以與金線連接。然而，焊球及厚金屬電極會遮擋光線，從而降低發光二極管晶粒及整個發光二極管封裝結構的出光效率。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種出光效率較高的發光二極管晶粒。

一種發光二極管晶粒，包括半導體發光結構，該半導體發光結構包括絕緣襯底、N型三族氮化物半導體層及P型三族氮化物半導體層，絕緣襯底及P型三族氮化物半導體層分別位于半導體發光結構的兩端，該絕緣襯底包括相對設置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半導體層形成于絕緣襯底的第一表面，絕緣襯底的第二表面形成導電層，絕緣襯底內形成至少一導電柱，該至少一導電柱貫通半導體發光結構的絕緣襯底，該至少一導電柱連接N型三族氮化物半導體層與導電層。

上述發光二極管晶粒的出光一側不必設置遮光的厚金屬電極及焊球，從而提高發光二極管晶粒的出光效率。

一種發光二極管封裝結構，包括基座、發光二極管晶粒及封裝體，發光二極管晶粒固定于基座上，封裝體包覆該發光二極管晶粒，發光二極管晶粒包括半導體發光結構，該半導體發光結構包括絕緣襯底、N型三族氮化物半導體層及P型三族氮化物半導體層，絕緣襯底及P型三族氮化物半導體層分別位于半導體發光結構的兩端，該絕緣襯底包括相對設置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半導體層形成于絕緣襯底的第一表面，絕緣襯底的第二表面形成導電層，絕緣襯底內形成至少一導電柱，該至少一導電柱貫通半導體發光結構的絕緣襯底，該至少一導電柱連接N型三族氮化物半導體層與導電層。

一種發光二極管晶粒制造方法，其包括以下步驟：提供半導體發光結構，該半導體發光結構包括絕緣襯底、N型三族氮化物半導體層及P型三族氮化物半導體層，絕緣襯底及P型三族氮化物半導體層分別位于半導體發光結構的兩端，該絕緣襯底包括相對設置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半導體層形成于絕緣襯底的第一表面，于該絕緣襯底的第二表面開設至少一孔，該至少一孔貫通至N型三族氮化物半導體層；于絕緣襯底的第二表面設置金屬材料以形成導電層，于該至少一孔內設置金屬材料以形成導電柱，該導電柱連接N型三族氮化物半導體層與導電層。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明一較佳實施方式中的發光二極管封裝結構的剖面示意圖。

圖2為本發明的一較佳實施方式中半導體發光結構的絕緣襯底形成孔后的剖面示意圖。

圖3為圖2中半導體發光結構形成導電層和導電柱后的剖面示意圖。

圖4為圖3中半導體發光結構固定在基板后的剖面示意圖。

圖5為圖4中形成絕緣層后的剖面示意圖。

圖6為圖5中形成第一窗口和第二窗口后的剖面示意圖。

圖7為圖6中形成透明導電層后的剖面示意圖。

圖8為本發明另一較佳實施方式中的發光二極管封裝結構的剖面示意圖。

主要元件符號說明

發光二極管封裝結構????10、20

基座??????????????????11

第一焊墊??????????????111

第二焊墊??????????????112

發光二極管晶粒????????12、22

封裝體????????????????13、23

基板??????????????????14、24

第一導電區????????????141

第二導電區????????????142

絕緣材料??????????????143

半導體發光結構????????15、25

絕緣襯底??????????????151

N型三族氮化物半導體層?153

有源層????????????????154

P型三族氮化物半導體層?157

絕緣層????????????????16、26

第一窗口??????????????161

第二窗口??????????????162

透明導電層????????????17、27

第一覆蓋部????????????171

連接部????????????????172