[發(fā)明專利]鋁電解電容器用高壓陽極箔生產(chǎn)工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110004605.4
• 申請(qǐng)日: 2011-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN102074379A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱文娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇立富電極箔有限公司
• 主分類號(hào): H01G9/055
• 分類號(hào): H01G9/055
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 盧海洋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種陽極箔生產(chǎn)工藝，具體涉及一種鋁電解電容器用高壓陽極箔生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)

高壓鋁電解電容器用陽極箔，通過擴(kuò)大其有效表面積，來增加單位面積的靜電容量，一般用電化學(xué)或化學(xué)腐蝕來處理鋁箔。以往的腐蝕工藝，在孔洞密度增加的同時(shí)，也伴隨著鋁箔表面的溶解，不但降低了腐蝕的有效表面積，還降低了其機(jī)械強(qiáng)度。因此，需要提供一種新的技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的高壓鋁電解電容器用陽極箔腐蝕過程中降低了其機(jī)械強(qiáng)度的技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供了一種鋁電解電容器用高壓陽極箔生產(chǎn)工藝，使其達(dá)到原有腐蝕效果的同時(shí)，大幅度提升比容，同時(shí)保證一定機(jī)械強(qiáng)度。

?本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

鋁電解電容器用高壓陽極箔生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：

a、前處理：將鋁箔放在含有質(zhì)量百分比濃度為20wt%―50wt%硫酸和質(zhì)量百分比濃度為1wt%―10wt%鹽酸的混合液中浸泡1―3分鐘，溶液溫度為55―75℃，除去鋁箔表面油污、雜質(zhì)及自燃氧化膜，使鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；

b、一級(jí)直流腐蝕：將前處理過的鋁箔放在含有質(zhì)量百分比濃度為20wt%―50wt%硫酸和質(zhì)量百分比濃度為1wt%―10wt%鹽酸的混合液中進(jìn)行直流電解腐蝕，其溫度68―78℃，電流密度控制在0.2―0.4A∕c㎡,鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；

c、二級(jí)直流腐蝕：將一級(jí)直流腐蝕后的鋁箔放在質(zhì)量百分比濃度為30wt%―60wt%硝酸中進(jìn)行直流電解腐蝕，溶液溫度為67―82℃，其電流密度為0.05―0.2?A∕c㎡，使初始蝕孔在原先的基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；

d、后處理：將二級(jí)直流腐蝕過的鋁箔放在質(zhì)量百分比濃度為5wt%―12wt%的硝酸溶液中浸泡3―5分鐘，溶液溫度30―50℃，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內(nèi)殘留有害化學(xué)物質(zhì)和裸露的金屬雜質(zhì)，保證在化成時(shí)形成致密而電氣性能優(yōu)良的氧化膜。

作為優(yōu)選，所述的前處理是將鋁箔放在質(zhì)量百分比濃度為25wt%―40wt%硫酸、質(zhì)量百分比濃度為1.5wt%―6wt%鹽酸混合液中浸泡1―3分鐘，溫度為55―75℃。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：該工藝提高了高壓陽極箔所需柱狀孔的有效面積，同時(shí)使高壓箔在獲得高比容的前提下，具有較高的機(jī)械強(qiáng)度。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例用以說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

實(shí)施例1

本發(fā)明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：

a、前處理：將鋁箔放在含有質(zhì)量百分比濃度為25wt%硫酸和質(zhì)量百分比濃度為1.5wt%鹽酸的混合液中浸泡1分鐘后取出，溫度55℃，除去鋁箔表面油污、雜質(zhì)及自燃氧化膜，使鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；

b、一級(jí)直流腐蝕：將前處理過的鋁箔放在含有質(zhì)量百分比濃度為25wt%硫酸和質(zhì)量百分比濃度為1.5wt%鹽酸的混合液中進(jìn)行直流電解腐蝕，其電流密度為0.2A∕c㎡，溫度為72℃，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；

c、二級(jí)直流腐蝕：將一級(jí)直流腐蝕過的鋁箔放在質(zhì)量百分比濃度為40wt%硝酸的溶液中進(jìn)行直流電解腐蝕，其電流密度為0.05A∕c㎡，溫度為70℃，使初始蝕孔在原先的基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)大并加深，使最終孔徑及深度滿足高壓化成要求；

d、后處理：將二級(jí)直流腐蝕過的鋁箔放在質(zhì)量百分比濃度為8wt%的硝酸溶液中浸泡3分鐘，溶液溫度35℃，去除鋁箔表面的殘余氧化膜、表面和孔內(nèi)殘留有害化學(xué)物質(zhì)和裸露的金屬雜質(zhì)，保證在化成時(shí)形成致密而電氣性能優(yōu)良的氧化膜。

實(shí)施例2

本發(fā)明的鋁電解電容器用高壓陽極箔生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：??????????

a、前處理：將鋁箔放在含有質(zhì)量百分比濃度為30wt%硫酸和質(zhì)量百分比濃度為3wt%鹽酸的混合液中浸泡1.5分鐘后取出，溫度60℃，除去鋁箔表面油污、雜質(zhì)及自燃氧化膜，使鋁箔表面均勻活化，使鋁箔表面形成分布均勻的初始蝕孔；

?b、一級(jí)直流腐蝕：將前處理過的鋁箔放在含有質(zhì)量百分比濃度為30wt%硫酸和質(zhì)量百分比濃度為3wt%鹽酸的混合液中進(jìn)行直流電解腐蝕，其電流密度為0.3A∕c㎡，溫度為69℃，鋁箔表面形成一定深度和孔徑的初始蝕孔；