[發(fā)明專利]集成電路裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110004086.1
• 申請(qǐng)日: 2011-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN102468279A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃財(cái)煜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;馮志云

1.一種集成電路裝置，包含：

一下晶圓；

至少一堆疊晶圓，設(shè)置于該下晶圓上，其中該下晶圓及該堆疊晶圓以一中間黏著層予以接合，且在該下晶圓及該堆疊晶圓之間沒有焊墊；以及

至少一導(dǎo)電插塞，貫穿該堆疊晶圓且深入該下晶圓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該堆疊晶圓包含一介電區(qū)塊，且該導(dǎo)電插塞貫穿該介電區(qū)塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該導(dǎo)電插塞沒有貫穿該下晶圓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該下晶圓包含一介電區(qū)塊，且該導(dǎo)電插塞沒有貫穿該介電區(qū)塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該至少一堆疊晶圓包含一上晶圓，該上晶圓包含至少一焊墊，且該導(dǎo)電插塞連接于該焊墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該堆疊晶圓包含：

至少一有源元件；以及

一連接結(jié)構(gòu)，電氣連接該導(dǎo)電插塞及該有源元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，該連接結(jié)構(gòu)包含：

至少一內(nèi)連線；以及

一導(dǎo)電層，電氣連接該有源元件及該內(nèi)連線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，該堆疊晶圓包含一接觸插塞，且該內(nèi)連線及該接觸插塞由相同導(dǎo)電材料構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，該堆疊晶圓還包含一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，鄰近該有源元件，且該導(dǎo)電插塞設(shè)于該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該下晶圓及該堆疊晶圓之間沒有焊料。

11.一種集成電路裝置的制造方法，包含下列步驟：

形成一下晶圓；

形成至少一堆疊晶圓；

使用一中間黏著層接合該至少一堆疊晶圓至該下晶圓上，其中沒有在該下晶圓及該堆疊晶圓之間形成焊墊；以及

形成至少一導(dǎo)電插塞，貫穿該堆疊晶圓且深入該下晶圓。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成至少一堆疊晶圓的步驟包含：

形成一介電區(qū)塊，且該導(dǎo)電插塞貫穿該介電區(qū)塊。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成至少一導(dǎo)電插塞的步驟沒有貫穿該下晶圓。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成一下晶圓的步驟包含：

形成一介電區(qū)塊，且該導(dǎo)電插塞沒有貫穿該介電區(qū)塊。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，還包含：

形成至少一焊墊于該堆疊晶圓上，其中該導(dǎo)電插塞連接于該焊墊。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成至少一堆疊晶圓的步驟包含：

形成至少一有源元件；以及

形成一連接結(jié)構(gòu)，電氣連接該導(dǎo)電插塞及該有源元件。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成一連接結(jié)構(gòu)的步驟包含：

形成至少一內(nèi)連線；以及

形成一導(dǎo)電層，電氣連接該有源元件及該內(nèi)連線。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成至少一堆疊晶圓的步驟包含：

形成一接觸插塞，該接觸插塞連接于該有源元件，且該內(nèi)連線及該接觸插塞是由相同導(dǎo)電材料構(gòu)成。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，形成至少一堆疊晶圓的步驟包含：

形成一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，鄰近該有源元件，且該導(dǎo)電插塞設(shè)于該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之中。

20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置的制造方法，其特征在于，使用一中間黏著層接合該至少一堆疊晶圓至該下晶圓上的步驟沒有使用焊料。