[發明專利]太陽能電池元件結構

無效

• 申請號: 201110004078.7
• 申請日: 2011-01-11
• 公開（公告）號: CN102593208A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 章豐帆;林信志;林信宏;謝季樺;李宗龍
• 申請（專利權）人: 太陽海科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;馮志云

1.一種太陽能電池元件結構，包含：

一基板；

一金屬層，形成于該基板的表面；

一p型半導體層，形成于該金屬層之上，包含銅、硒及硫三者中的二者或二者以上的化合物材料；

一n型半導體層，具光觸媒特性，形成于該p型半導體層的表面，且與該p型半導體層形成p-n接合面；以及

一透明導電層，形成于該n型半導體層之上；以及

一高阻值膜層，形成于該金屬層及透明導電層之間。

2.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該n型半導體層包含金屬氧化物。

3.根據權利要求2的太陽能電池元件結構，其特征在于，該金屬氧化物包含氧化鈦或氧化鎢。

4.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該n型半導體層的厚度介于1～1000nm。

5.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該高阻值膜層疊設接觸于該金屬層及該p型半導體層之間，或該n型半導體層及透明導電層之間。

6.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該高阻值膜層包含金屬氧化物。

7.根據權利要求6的太陽能電池元件結構，其特征在于，該金屬氧化物選自氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化銅、氧化鐵、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鑭、氧化鈮、銦錫氧化物、氧化鍶、氧化鎘、氧化銦、或其混合物。

8.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該高阻值膜層包含可造成電容效應的絕緣材料。

9.根據權利要求8的太陽能電池元件結構，其特征在于，該絕緣材料為硅或氧化鋁。

10.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該高阻值膜層包含金屬氮化物。

11.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該高阻值膜層的厚度介于25至2000埃。

12.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該透明導電層選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、鋁鎵鋅氧化物、鎘錫氧化物、氧化鋅及二氧化鋯。

13.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該金屬層包含鉬、鉻、釩、鎢金屬。

14.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該基板為玻璃基板、塑膠軟板、不銹鋼、鉬、銅、鈦、鋁金屬板或金屬箔片。

15.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該n型半導體層經照光后提高其電子遷移率。

16.根據權利要求1的太陽能電池元件結構，其特征在于，該p型半導體層包含銅銦鎵硒硫、銅銦鎵硒、銅銦硫或銅銦硒。