[發明專利]硅化合物膜的干式刻蝕方法

有效

• 申請號: 201110001999.8
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN102129984A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 登坂久雄
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王靈菇;白麗

本申請是申請日為2009年9月17日、中國專利申請號為200910175508.4、發明名稱為“硅化合物膜的干式刻蝕方法”的分案申請。

本申請要求2008年9月19日在日本提出的日本申請2008-240537號的優先權，其全文在此引入作為參考。

技術領域

本發明涉及一種硅化合物膜的干式刻蝕方法。

背景技術

例如，以往的薄膜晶體管中具有反向交錯型。在該薄膜晶體管中，在基板的上表面設置柵電極(gate?electrode)。在包括柵電極的基板的上表面設置柵絕緣膜(gate?insulating?film)。在柵電極上的柵絕緣膜的上表面設置由本征非晶硅構成的半導體薄膜。在半導體薄膜的上表面兩側設置由n型非晶硅構成的歐姆接觸層。在各歐姆接觸層的上表面設置源電極和漏電極。

然而，在上述以往的薄膜晶體管的歐姆接觸層和半導體薄膜的形成方法中，將成膜于柵絕緣膜上表面的本征非晶硅膜(半導體薄膜形成用膜)和n型非晶硅膜(歐姆接觸層形成用膜)連續地干式刻蝕。該情況下，使用SF6(六氟化硫)氣體作為刻蝕氣體。

但是，作為在上述以往的干式刻蝕方法中使用的刻蝕氣體的SF6的變暖系數(warming?potential)為數千～數萬，非常大，因此近年來其作為地球變暖的原因之一而被視為問題。因而，選擇代替它的替代氣體成為重要的課題。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種在不使用SF6等成為地球變暖原因之一的氣體的情況下，能夠良好地對非晶硅膜和氮化硅膜等構成薄膜晶體管的材料進行干式刻蝕的硅化合物膜的干式刻蝕方法。

本發明的硅化合物膜的干式刻蝕方法的實施方式之一為：通過使用了至少含有COF₂的刻蝕氣體的平行平板型的干式刻蝕來對硅化合物膜進行干式刻蝕。

根據本發明，通過利用使用了至少含有COF₂的氣體的平行平板型的干式刻蝕來對非晶硅膜等硅化合物膜進行干式刻蝕，能夠在不使用SF6等成為地球變暖原因之一的氣體的情況下，良好地將非晶硅膜等硅化合物膜進行干式刻蝕。

本發明的其他目的和優點將在后文敘述，其中部分根據說明書是顯而易見的，或者可能需要通過實施本發明才能獲知。本發明的目的和優點可以通過特別是后文的實施方式和組合來實現和獲得。

附圖說明

所附的附圖被引入并組成本發明的一部分，其示例了本發明的實施方式，并與上文的一般描述以及下文對具體實施方式的詳細描述一起用于解釋本發明的原理。

圖1為利用包含本發明的干式刻蝕方法的制造方法而制造的薄膜晶體管面板的一個例子的截面圖。

圖2為圖1所示的薄膜晶體管面板的制造方法的一個例子的起始工序的截面圖。

圖3為接著圖2的工序的截面圖。

圖4為接著圖3的工序的截面圖。

圖5為接著圖4的工序的截面圖。

圖6為接著圖5的工序的截面圖。

圖7為接著圖6的工序的截面圖。

圖8為接著圖7的工序的截面圖。

圖9為接著圖8的工序的截面圖。

圖10為第1干式刻蝕裝置的一個例子的概略構成圖。

圖11為第2干式刻蝕裝置的一個例子的概略構成圖。

圖12為第3干式刻蝕裝置的一個例子的概略構成圖。

圖13為第4干式刻蝕裝置的一個例子的概略構成圖。

圖14為利用包含本發明的干式刻蝕方法的制造方法而制造的薄膜晶體管面板的另一例子的截面圖。

圖15為圖14所示的薄膜晶體管面板的制造方法的一個例子的起始工序的截面圖。

圖16為接著圖15的工序的截面圖。

圖17為接著圖16的工序的截面圖。

圖18為接著圖17的工序的截面圖。

圖19為接著圖18的工序的截面圖。

圖20為接著圖19的工序的截面圖。

圖21為表示液晶顯示裝置的一個例子的圖。

圖22為表示手機的一個例子的圖。

具體實施方式

以下參照附圖詳細地說明本發明的實施方式。

圖1為利用包含本發明的干式刻蝕方法的制造方法而制造的薄膜晶體管面板的一個例子的截面圖。該薄膜晶體管面板具備玻璃基板1。在玻璃基板1上表面的規定位置上設置由鉻等金屬構成的柵電極2。在包含柵電極2的玻璃基板1的上表面設置由氮化硅構成的柵絕緣膜3。