[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080071007.2
• 申請日: 2010-12-28
• 公開（公告）號: CN103283003A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鳥羽隆一;門脅嘉孝;曹明煥;李錫雨;張弼國
• 申請（專利權(quán)）人: 同和電子科技有限公司;偉方亮有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L33/32;H01S5/323
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具備n型III族氮化物半導(dǎo)體層和與此n型III族氮化物半導(dǎo)體層表面形成歐姆接觸的電極，其特征為，所述表面為半極性面。

2.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，所述半極性面由{10-1-1}面群構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，所述表面通過將n型III族氮化物半導(dǎo)體的氮極性面進(jìn)行異方性化學(xué)蝕刻而形成，所述n型III族氮化物半導(dǎo)體裝置的表面具備由所述半極性面構(gòu)成的凹凸。

4.如權(quán)利要求3中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層為通過外延生長而形成于生長用基板上的單結(jié)晶，

所述氮極性面為外延生長后通過分離所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層和所述生長用基板而得到的所述生長用基板一側(cè)的面。

5.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，所述電極在所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層的半極性面具備按照鈦（Ti）、鎳（Ni）、金（Au）的順序?qū)臃e而成的結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，使電流從所述電極向與所述表面的主面垂直的方向上通流從而進(jìn)行工作。

7.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，在所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層上的一邊的主面一側(cè)，所述電極形成于由半極性面構(gòu)成的表面上，且與所述電極連結(jié)的其他電極形成于所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層上的另一邊的主面一側(cè)。

8.如權(quán)利要求7中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，所述其他電極形成于在所述III族氮化物半導(dǎo)體上的Ga極性面一側(cè)形成的凹槽構(gòu)造的底面。

9.如權(quán)利要求7至權(quán)利要求8中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為，所述其他電極包含鎳（Ni）。

10.如權(quán)利要求7至權(quán)利要求8中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征為：所述其他電極具備了鉻（Cr）、鎳（Ni）、金（Au）依次層積而成的結(jié)構(gòu)。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其使用n型III族氮化物半導(dǎo)體層，其特征為具備：

生長工序，使得所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層在生長用基板上外延生長；

剝離工序，分離所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層與所述生長用基板，使得位于所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層上的所述生長用基板一側(cè)的面暴露出來；

表面蝕刻工序，對于位于所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層上的所述生長用基板一側(cè)的面實施異方性化學(xué)蝕刻，從而在位于所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層上的所述生長用基板一側(cè)的面，形成半極性面暴露出來的表面；

以及電極形成工序，在所述表面上形成電極。

12.如權(quán)利要求11中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征為，所述表面蝕刻工序中的異方性蝕刻為使用堿性溶液的濕式蝕刻。

13.如權(quán)利要求11或12中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征為，

在所述生長工序中，所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層經(jīng)由剝離層形成于所述生長用基板上；

在所述剝離工序中，通過選擇性地對所述剝離層進(jìn)行蝕刻，分離所述n型III族氮化物半導(dǎo)體層和所述生長用基板。