[發明專利]具有硼擴散層的硅太陽能電池單元及其制造方法

無效

• 申請號: 201080068105.0
• 申請日: 2010-10-08
• 公開（公告）號: CN103026494A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 上下利男
• 申請（專利權）人: 希拉克電池株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 武君

1.一種硅太陽能電池單元的制造方法，該硅太陽能電池單元具有在p型或n型硅襯底的第一面上形成磷（P）擴散的n⁺層，在第二面上形成硼（B）擴散的p⁺層的n⁺-p-p⁺結構或p⁺-n-n⁺結構，其特征在于上述n⁺-p-p⁺結構或p⁺-n-n⁺結構的制造方法包括下述步驟：

按照將上述第一面面對的方式將2個上述硅襯底裝載于硼擴散爐內部，將硼熱擴散到上述第二面，接著，導入氧氣體，將伴隨硼擴散而形成于擴散面上的硼玻璃膜改性為厚度在85～95μm的范圍內的富含SiO₂物的膜；

針對上述硼擴散硅襯底，采用在輥式運送系統中水平移動襯底，將氟硝酸溶液接觸于背面側的方式的直列式單面蝕刻裝置，去除上述第一面的硼圍繞擴散部分；按照將上述第二面面對，將兩個上述硼擴散硅襯底裝載于磷擴散爐內部，將磷熱擴散于上述第一面上。

2.一種采用表面鈍化法的硅太陽能電池單元的制造方法，該硅太陽能電池單元具有在p型或n型硅襯底的第一面上形成磷擴散的n⁺層，在第二面上形成硼（B）擴散的p⁺層的n⁺-p-p⁺結構或p⁺-n-n⁺結構，其特征在于該方法包括下述步驟：

通過在去除伴隨上述硼擴散和磷擴散，形成于硅襯底表面上的硼玻璃膜和磷玻璃膜后，浸漬于臭氧水中，將厚度在20～30?的范圍內的硅氧化膜形成于第1和第二面上；

在上述第一和第二面的硅氧化膜上，通過等離子CVD裝置，在成膜溫度在400～450℃的條件下，形成氮化硅膜。

3.一種硅太陽能電池單元，該硅太陽能電池單元具有在p型或n型硅襯底的第一面上形成磷擴散的n⁺層，在第二面上形成硼（B）擴散的p⁺層的n⁺-p-p⁺?A結構或p⁺-n-n⁺結構，其特征在于：

在上述第一面上印刷·干燥柵型的Ag電極；

在于上述第二面上在干燥后膜厚在10～15μm的范圍內的條件下印刷·干燥Al含量在2～4重量%的AgAl電極后，在該AgAl電極上重合涂敷而印刷·干燥干燥后膜厚在20～24μm的銀電極；

具有在峰值溫度在750～780℃的范圍內的條件下同時地對上述第一面和第二面的電極進行烘焙的烘焙后的膜厚大于23μm的2層結構柵電極。

4.一種硅太陽能電池單元，其特征在于在于p型或n型硅襯底的第一面上形成磷擴散的n⁺層，在第二面上形成硼擴散的p⁺層的n⁺-p-p⁺?A結構的硅襯底上，

于上述第一面上印刷·干燥柵型Ag電極；

在上述第二面上，在AgAl背面焊盤電極和該AgAl焊盤電極部以外的基本整個面的范圍內，印刷·干燥構成烘焙后膜厚在6～15μm的范圍內的薄的Al電極，在峰值溫度在750～780℃的條件下同時烘焙，由此，

在由上述Al電極覆蓋的部分的硅襯底的p⁺層上，還具有Al擴散的p⁺⁺層的背面場（BSF）。

5.根據權利要求4所述的硅太陽能電池單元，其特征在于通過具有多個小的開口部的式樣，制作上述Al電極，該開口部形成B擴散的p⁺層，由Al電極覆蓋的部分形成B和Al擴散的p⁺⁺層的BSF。