[發明專利]在具有多層焊盤上金屬化的接合焊盤及形成方法

有效

• 申請號: 201080063511.8
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102754203A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: M·瓦魯格斯
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導體裝置結構，包括：

半導體管芯，其具有第一接合焊盤和圍繞所述第一接合焊盤的內側部分的鈍化層；

第一鎳層，其在所述第一接合焊盤的內側部分上，其中所述第一鎳層具有側壁，其中所述鈍化層和所述側壁之間的第一空間延伸到所述第一接合焊盤；以及

第一鈀層，其在所述第一鎳層上方并且填充所述第一空間，從而所述第一鈀層在所述第一空間中與所述第一鎳層、在所述第一空間中與所述第一接合焊盤、以及在所述第一空間中與所述鈍化層接觸。

2.根據權利要求1的半導體裝置結構，其中所述第一接合焊盤包括由鋁和銅構成的組中的一種。

3.根據權利要求1的半導體裝置結構，還包括在所述第一鈀層上方的金層。

4.根據權利要求3的半導體裝置結構，還包括在所述金層上的球接合件。

5.根據權利要求1的半導體裝置結構，還包括在所述第一鈀層上的球接合件。

6.根據權利要求1的半導體裝置結構，其中：

所述半導體管芯還包括第二接合焊盤；

所述鈍化層圍繞所述第二接合焊盤的內側部分；

所述半導體裝置結構還包括：

第二鎳層，其在所述第二接合焊盤的內側部分上，其中所述第二鎳層具有側壁，其中所述鈍化層和所述第二鎳層的側壁之間的第二空間延伸到所述第二接合焊盤；以及

第二鈀層，其在所述第二鎳層上方并且填充所述第二空間，從而所述第二鈀層在所述第二空間中與所述第二鎳層、在所述第二空間中與所述第二接合焊盤、以及在所述第二空間中與所述鈍化層接觸；

其中所述第一接合焊盤與所述第二接合焊盤相鄰，其中從所述第一接合焊盤處的所述第一空間到所述第二接合焊盤處的所述第二空間最近的距離不大于四微米。

7.一種用于在具有接合焊盤的半導體管芯上形成焊盤上金屬化OPM的方法，其中所述接合焊盤具有被鈍化層圍繞的內側部分，所述方法包括：

在所述接合焊盤上沉積鎳層；

對所述鎳層應用各向同性蝕刻劑以將所述鎳層和所述鈍化層之間的向下到所述接合焊盤的空間加寬；以及

在所述鎳層上并在所述空間中沉積鈀層以便在所述空間中與所述接合焊盤、所述鈍化層、和所述鎳層接觸。

8.如權利要求7所述的方法，還包括在所述鈀層上沉積金層。

9.如權利要求8所述的方法，還包括在所述金層上形成球接合件。

10.如權利要求7所述的方法，還包括在所述鈀層上形成球接合件。

11.如權利要求7所述的方法，其中所述應用各向同性蝕刻劑包括應用對所述鈍化層和所述接合焊盤選擇性的蝕刻鎳的濕法蝕刻劑。

12.如權利要求7所述的方法，其中所述接合焊盤包括由鋁和銅構成的組中的一種。

13.如權利要求7所述的方法，其中所述鈍化層包括氮化物和聚酰亞胺。

14.如權利要求7所述的方法，其中所述沉積鎳層還特征在于所述鎳層延伸到所述鈍化層的高度之上。

15.根據權利要求14的方法，其中所述沉積鎳層的步驟特征還在于所述鎳層延伸在所述鈍化層的一部分的上方。

16.根據權利要求7的方法，其中：

所述半導體管芯還包括第二接合焊盤；

所述鈍化層圍繞所述第二接合焊盤的內側部分；

所述沉積鎳層的步驟包括在所述第二接合焊盤上沉積第二鎳層；

所述對鎳層應用各向同性蝕刻劑的步驟另外將所述第二鎳層和所述鈍化層之間的向下到所述第二接合焊盤的空間加寬；以及

所述沉積鈀層的步驟包括在所述第二鎳層上沉積另外的鈀層；

所述接合焊盤與所述第二接合焊盤相鄰；以及

在所述第二接合焊盤處所述第二鎳層和所述鈍化層之間的空間與所述接合焊盤處所述鎳層和所述鈍化層之間的空間之間最近的距離不大于四微米。

17.一種制造半導體裝置結構的方法，所述半導體裝置結構包括圍繞有鈍化層的接合焊盤，所述方法包括：

在所述接合焊盤上沉積鎳層，在所述鈍化層和所述鎳層的側壁之間留下空間；

加寬所述空間以形成加寬的空間；以及

以鈀填充所述加寬的空間。