[發(fā)明專利]電熱冷卻有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080060880.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102792106A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文森索·卡薩桑塔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英派爾科技開發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | F25B21/00 | 分類號(hào): | F25B21/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 戎志敏 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電熱 冷卻 | ||
1.一種冷卻系統(tǒng),包括:
致冷單元,包括:
分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu),包括位于第一電極層和第二電極層之間的電熱隔膜,其中所述電熱隔膜適用于當(dāng)在所述第一電極層和所述第二電極層上施加極化電壓時(shí)極化為低熵狀態(tài),以及其中所述電熱隔膜適用于當(dāng)去除極化電壓時(shí)去極化為高熵狀態(tài);
熱沉;
熱沉電極,配置為與所述熱沉熱交換;
冷卻負(fù)載;以及
冷卻負(fù)載電極,配置為與所述冷卻負(fù)載熱交換,其中所述分層電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)懸置于所述熱沉電極和所述冷卻負(fù)載電極之間;以及
偏置源,配置為當(dāng)所述電熱隔膜極化為低熵狀態(tài)時(shí),對(duì)所述熱沉電極進(jìn)行偏置,使所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)與所述熱沉電極熱交換,從而促進(jìn)從致冷單元到熱沉的熱傳遞,并且配置為當(dāng)所述電熱隔膜去極化為高熵狀態(tài)時(shí),對(duì)冷卻負(fù)載電極進(jìn)行偏置,使所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)與所述冷卻負(fù)載電極熱交換,從而促進(jìn)從冷卻負(fù)載電極到熱沉電極的熱傳遞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中熱沉電極的表面和冷卻負(fù)載電極的表面包括鈍化層,其中所述鈍化層適用于促進(jìn)與分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)的機(jī)械接觸和熱交換,同時(shí)在所述機(jī)械接觸期間提供電介質(zhì)隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)的表面包括鈍化層,所述鈍化層適用于促進(jìn)與所述熱沉電極和冷卻負(fù)載電極的機(jī)械接觸和熱交換,同時(shí)在所述機(jī)械接觸期間提供電介質(zhì)隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),還包括在所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)、熱沉電極和/或冷卻負(fù)載電極中的一個(gè)或多個(gè)之上的鈍化層,所述鈍化層包括氧化鈹和/或氮化鋁中的一個(gè)或多個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述電熱隔膜包括鐵電聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的冷卻系統(tǒng),其中所述鐵電聚合物包括聚偏氟乙烯共聚物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述偏置源包括電壓源,并且還包括控制器,所述控制器適用于控制所述電壓源。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述偏置源包括鉸鏈裝置、彈簧裝置、滑動(dòng)裝置和旋轉(zhuǎn)裝置中的一個(gè)或多個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述冷卻系統(tǒng)適用于對(duì)半導(dǎo)體管芯進(jìn)行冷卻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述冷卻系統(tǒng)適用于對(duì)電子封裝進(jìn)行冷卻。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述冷卻系統(tǒng)適用于在致冷系統(tǒng)中使用。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷卻系統(tǒng),其中所述冷卻系統(tǒng)適用于在空調(diào)系統(tǒng)中使用。
13.一種封閉腔體冷卻設(shè)備,包括:
熱沉;
冷卻負(fù)載;
第一腔體側(cè)壁,具有熱沉電極,其中所述熱沉電極適用于與所述熱沉熱交換;
第二腔體側(cè)壁,實(shí)質(zhì)上與所述第一腔體側(cè)壁平行,所述第二腔體側(cè)壁具有冷卻負(fù)載電極,其中所述冷卻負(fù)載電極適用于與所述冷卻負(fù)載熱交換;
第一隔離物,具有第一懸置節(jié)點(diǎn);
第二隔離物,與所述第一隔離物平行并且具有第二懸置節(jié)點(diǎn),其中所述第一隔離物和所述第二隔離物熱絕緣且電絕緣,并且適用于隔離所述第一腔體側(cè)壁和所述第二腔體側(cè)壁;以及
分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu),包括位于第一電極層和第二電極層之間的電熱隔膜,
其中所述電熱隔膜適用于當(dāng)在所述第一電極層和所述第二電極層上施加極化電壓時(shí)極化為低熵狀態(tài),以及當(dāng)去除極化電壓時(shí)去極化為高熵狀態(tài);
其中所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)與所述第一懸置節(jié)點(diǎn)和所述第二懸置節(jié)點(diǎn)耦合,以提供懸置于所述第一腔體側(cè)壁和所述第二腔體側(cè)壁之間的結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封閉腔體冷卻設(shè)備,還包括電壓源,所述電壓源配置為當(dāng)所述電熱隔膜極化為低熵狀態(tài)時(shí),對(duì)所述熱沉電極進(jìn)行偏置,使所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)與所述第一腔體側(cè)壁熱交換,從而促進(jìn)從所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)到熱沉的熱傳遞,并且其中所述電壓源配置為當(dāng)所述電熱隔膜去極化為高熵狀態(tài)時(shí),對(duì)冷卻負(fù)載電極進(jìn)行偏置,使所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)與所述第二腔體側(cè)壁熱交換,從而促進(jìn)從冷卻負(fù)載到所述分層的電熱隔膜和電極結(jié)構(gòu)的熱傳遞。
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