[發明專利]極低硅損失高劑量植入剝離

有效

• 申請號: 201080056124.1
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102870198B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 大衛·張;浩權·方;杰克·郭;伊利亞·卡利諾夫斯基;李釗;姚谷華;阿尼爾班·古哈;柯克·奧斯特洛夫斯基
• 申請（專利權）人: 諾發系統有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種在反應室中從硅表面移除高劑量植入的抗蝕劑的方法，所述方法包括：

從包括分子氫、不含碳的含氟氣體及化合物的工藝氣體混合物形成第一等離子體，其中所述化合物為選自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等離子體的主要蝕刻劑組分為HF蒸氣，其中所述不含碳的含氟氣體與所述化合物以第一體積流量比率提供；

使所述硅表暴露于所述第一等離子體以由此以第一蝕刻速率從所述硅表面移除所述高劑量植入的抗蝕劑的側面結殼和頂部結殼中的一者；

改變所述不含碳的含氟氣體及所述化合物的所述體積流量比率以形成第二等離子體，其中所述第二等離子體的主要蝕刻劑組分為HF蒸氣；及

使所述硅表面暴露于所述第二等離子體以由此以不同于所述第一蝕刻速率的第二蝕刻速率從所述硅表面移除所述高劑量植入的抗蝕劑的所述側面結殼和所述頂部結殼中的另一者。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述化合物為碳氟化合物。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述碳氟化合物為CF₄、C₂F₆、CHF₃、CH₂F₂、C₃F₈中的一者。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述碳氟化合物為CF₄。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟氣體為NF₃、F₂、HF或SF₆中的一者。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述不含碳的含氟氣體為NF₃。

7.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟氣體與所述化合物的所述第一體積流量比率介于1:20到1:5之間，且改變所述體積流量比率包括將所述比率改變為介于1:4到1:2之間。

8.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟氣體與所述化合物的所述第一體積流量比率介于1:20到1:5之間。

9.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中改變所述不含碳的含氟氣體與所述化合物的所述體積流量比率以形成第二等離子體包括：關斷化合物流。

10.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述工藝氣體混合物進一步包括二氧化碳。

11.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中在移除之后所述硅表面大體上沒有所述高劑量植入的抗蝕劑的殘留物，且其中從所述硅表面損失少于2埃的硅。

12.根據權利要求11所述的方法，其中在移除之后所述硅表面大體上沒有所述高劑量植入的抗蝕劑的殘留物，且其中從所述硅表面損失少于1埃的硅。

13.一種在反應室中從硅表面移除高劑量植入的抗蝕劑的方法，所述方法包括：

從包括分子氫、不含碳的含氟氣體及化合物的工藝氣體混合物形成第一等離子體，其中所述化合物為選自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等離子體的主要蝕刻劑組分為HF蒸氣，

使所述硅表面暴露于所述第一等離子體以由此以第一蝕刻速率從所述硅表面移除所述高劑量植入的抗蝕劑的側面結殼和頂部結殼中的一者，且同時在所述硅表面上形成保護層；

改變所述不含碳的含氟氣體及所述化合物的體積流量比率以形成第二等離子體，其中所述第二等離子體的主要蝕刻劑組分為HF蒸氣；及

使所述硅表面暴露于所述第二等離子體以由此以不同于所述第一蝕刻速率的第二蝕刻速率從所述硅表面移除所述高劑量植入的抗蝕劑的所述側面結殼和所述頂部結殼中的另一者。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述化合物為碳氟化合物。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述碳氟化合物為CF₄、C₂F₆、CHF₃、CH₂F₂、C₃F₈中的一者。