[發明專利]半導體裝置的制造方法和半導體裝置

有效

• 申請號: 201080055250.5
• 申請日: 2010-10-18
• 公開（公告）號: CN102754185A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 三谷昌弘
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

在底基板上形成多個元件排列成的島圖案而形成第1基板的工序；

將上述第1基板和與上述第1基板不同的第2基板隔著上述多個元件的一部分貼合的工序；以及

針對在上述第1基板上所形成的多個元件中的上述一部分元件被形成的位置，照射具有引起多光子吸收的波長的激光，由此將上述一部分元件從上述第1基板分離而選擇性地轉印到上述第2基板上的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所轉印的上述一部分元件在上述第2基板上形成矩陣狀的島圖案。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述第2基板的上述島圖案的間距是上述第1基板的上述島圖案的間距的整數倍。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述激光的照射是一邊沿著基板面掃描激光源或者沿著基板面掃描搭載有基板的工作臺，一邊針對上述底基板的規定位置進行的。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述底基板的內部形成脆弱層，對該脆弱層照射上述激光。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，將氫原子、氫分子、氫離子、以及惰性氣體離子中的至少1種向上述第1基板的內部進行離子注入或者離子摻雜而形成上述脆弱層。

7.根據權利要求1～4中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述底基板的內部形成光吸收層，對該光吸收層照射上述激光。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，將硼、磷、砷、鉀、銦、鈦、鈀、碳、硅、銻、鋅、碲、以及鎘中的任1種向上述底基板的內部進行離子注入或者離子摻雜而形成上述光吸收層。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在將上述底基板的溫度提高到室溫以上的狀態下照射上述激光。

10.根據權利要求1～9中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述激光是Nd:YAG激光、Nd:YVO4激光、Nd:YLF激光、以及鈦藍寶石激光中的任一種。

11.根據權利要求1～10中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，從上述底基板的側面施加機械力，將要轉印的上述一部分元件從上述第1基板分離。

12.根據權利要求1～11中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述元件是半導體薄膜、半導體器件或者半導體器件的一部分。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述半導體器件是發光元件、液晶控制元件、光電轉換元件、壓電元件、薄膜晶體管元件、薄膜二極管元件、電阻元件、開關元件、微小磁性元件、微小光學元件。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述元件是單晶Si薄膜或者包含單晶Si的半導體器件。

15.根據權利要求1～14中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在峰值功率密度為1×10⁸W/cm²以上、且脈沖寬度為1μs以下的條件下照射上述激光。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在峰值功率密度為1×10¹¹W/cm²～1×10¹²W/cm²、且脈沖寬度為1ns～200ns的條件下照射上述激光。

17.根據權利要求1～14中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在峰值功率密度為1×10⁸W/cm²以上、且脈沖寬度為1ns以下的條件下照射上述激光。

18.根據權利要求1～17中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使用硅基板、SOI基板、藍寶石基板、GaN基板、以及GaAs基板中的任一種作為上述底基板。