[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 201080053932.2
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102630313A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 杉田靖博;田中耕平;加藤浩巳;C·布朗
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G02F1/133;G02F1/1335;G06F3/042;G09F9/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種顯示裝置，其特征在于：

所述顯示裝置在有源矩陣基板的像素區域包括光傳感器，

所述光傳感器包括：

接受入射光的光檢測元件；

向該光傳感器供給復位信號的復位信號配線；

向該光傳感器供給讀出信號的讀出信號配線；

存儲節點，該存儲節點的電位根據在傳感期間由所述光檢測元件接受的光量而變化，所述傳感期間為從供給所述復位信號開始到供給所述讀出信號為止的期間；

根據所述讀出信號，使所述存儲節點的電位放大的放大元件；和

傳感器開關元件，其用于將由所述放大元件放大后的電位作為傳感器電路輸出而讀出到輸出配線，

對所述光檢測元件，在與其受光面相反的一側設置有遮光膜，

所述遮光膜與供給使該遮光膜固定在恒定電位的電壓的電源連接，

當設所述恒定電位為V_LS、所述復位信號的高電平電位為V_RST.H時，V_LS≥V_RST.H。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述光檢測元件是PIN二極管，當設所述PIN二極管的p溝道閾值電壓為V_{th_p}時，V_LS≥V_RST.H＋V_{th_p}。

3.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于：

所述放大元件是可變電容器。

4.如權利要求3所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可變電容器是包含所述讀出信號配線、絕緣膜和在硅膜形成的p型半導體區域的MOS電容器。

5.如權利要求3所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可變電容器是包含所述傳感器開關元件的柵極電極、絕緣膜和在硅膜形成的n型半導體區域的MOS電容器。

6.如權利要求1～5中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

所述放大元件是p溝道薄膜晶體管。

7.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于：

在所述p溝道薄膜晶體管中，溝道區域形成在連接所述光檢測元件和所述存儲節點的硅膜的寬幅部，該p溝道薄膜晶體管的柵極電極以與所述寬幅部重疊的方式設置。

8.如權利要求1～5中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

所述放大元件是n溝道薄膜晶體管。

9.如權利要求1～5中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

所述放大元件是在溝道上設置有柵極電極的二極管。

10.如權利要求1～9中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

包括以相對于所述遮光膜和所述光檢測元件的寄生電容形成串聯電容的方式，與所述遮光膜相對地設置的電極，

所述電極與所述讀出配線電連接。

11.如權利要求1～10中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

在所述像素區域具有多個所述光檢測元件，

所述多個光檢測元件并聯連接，

所述放大元件與所述多個光檢測元件的末端的光檢測元件連接。

12.如權利要求1～11中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

所述傳感器開關元件是三端子開關元件，

所述三端子之中的柵極電極與所述存儲節點連接，

所述三端子之中剩余的兩端子中的一個與所述輸出配線連接。

13.如權利要求1～12中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

還包括所述傳感器開關元件的復位用開關元件。

14.如權利要求1～13中任一項所述的顯示裝置，其特征在于：

所述放大元件，在所述讀出信號的低電平電位和高電平電位之間，具有該放大元件的開／關轉換的閾值電位。

15.如權利要求1～14中任一項所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

與所述有源矩陣基板相對的相對基板；和

被夾持在所述有源矩陣基板和相對基板之間的液晶。