[發(fā)明專利]閃光燈、相應的制造方法和用于該制造方法的儀器

無效

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• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102612732A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設計）人: J.利特蔡爾德;M.布朗
• 申請（專利權）人: 賀利氏特種光源有限公司
• 主分類號: H01J61/35
• 分類號: H01J61/35;H01J61/54;H01J61/90;H01J9/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;盧江

技術領域

本發(fā)明涉及一種包括絕緣外殼的閃光（弧光）燈，該絕緣外殼包含氣體并且容納一對電弧電極；并且本發(fā)明涉及一種制造這樣的閃光燈的相應方法和用于該制造方法的儀器。

背景技術

已知，弧光燈和閃光燈的點燃/觸發(fā)屬性眾所周知地在燈的批次與批次之間以及在燈與燈之間不一致。

觸發(fā)屬性是復雜的并且需要燈氣體（例如氙和氪）中的初始擊穿或離子化。大多數(shù)觸發(fā)方案使用觸發(fā)變壓器來產生實現(xiàn)離子化所需要的高壓。這樣的離子化通常可以被視為是2個電極之間的稀薄流光并且形成允許主儲能電容在所述電極之間放電的導電路徑，從而導致強烈的閃光。

為了改進觸發(fā)過程，已知將部分電極材料噴濺到靠近電極的外殼的內表面上。因此，點燃燈所需的電壓可以顯著降低。

然而，這樣的噴濺可能的不利之處在于，由于所噴濺的材料阻塞了來自等離子體的光傳輸（導致外殼材料的后續(xù)脫氣或再結晶），所以可能存在使用壽命的降低。同樣，噴濺過程可能損壞電極表面并且降低燈的壽命，因為燈等離子體本身被用于噴濺。另外，噴濺過程需要在對燈充氣期間或之前進行，該過程通常是冗長和不可預料的過程。例如，這可以通過相反的極性以低氣壓運行燈來實現(xiàn)。

發(fā)明內容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種包括絕緣外殼的閃光燈，該絕緣外殼包含氣體并且容納一對電弧電極，其特征在于在鄰近電極的外殼內側上的預定位置處形成的隔離導電材料的實體。也可以形成隔離導電材料的多個這樣的實體。

發(fā)明人已經意識到，如果采用謹慎和經控制地形成這種材料，即在預定位置處形成該材料（相對于利用噴濺的偽隨機位置）和/或以預定的形狀形成該材料（包括以幾何圖案的方式），則可以避免通過噴濺和后續(xù)不一致地觸發(fā)來偽隨機地形成這種材料。

在所述外殼為伸長的實施例中，可以優(yōu)選隔離導電材料的至少一個實體在由垂直于伸長方向并且穿過電極末端的相應平面劃界的區(qū)域中在外殼內側上形成，尤其是緊鄰該電極的電弧端。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種制造閃光燈的相應方法，包括提供絕緣外殼的步驟，該絕緣外殼包含氣體并且在絕緣外殼中容納一對電弧電極，其特征在于，在鄰近電極的外殼內側上的預定位置處形成隔離導電材料的實體的步驟。

特別地，這樣的方法可以采用局部加熱（例如使用激光器）電極的區(qū)域以鄰近該加熱區(qū)域地形成隔離導電材料的至少一個實體。使用這樣的技術，有可能通過外部加熱源相對于電極運動來使導電材料成形。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于制造閃光燈的儀器，包括：用于接納閃光燈的容器，該閃光燈包括絕緣外殼，該絕緣外殼包含氣體并且容納一對電弧電極;和加熱源（例如激光器），該加熱源被配置來加熱閃光燈的電極的局部區(qū)域以便使所揮發(fā)的電極材料形成在外殼上，鄰近加熱區(qū)域。

理想地，或者所述容器或者所述加熱源能夠相對于對方運動，以便確定所形成的導電材料的形狀。

附圖說明

現(xiàn)在將僅通過示例的方式參照以下附圖來描述本發(fā)明，其中：

圖1示意性示出根據(jù)本發(fā)明的閃光燈；和

圖2示意性示出對圖1的閃光燈的制造。

具體實施方式

參照圖1，示出具有石英外殼10的閃光燈，該石英外殼10容納連接到相應的電連接器20、22的鑭鎢陰極24和陽極18。電極可以同樣是鎢、釷鎢和許多其他的金屬或金屬合金。外殼10可選地配備兩個窄段，這兩個窄段以大致15到20微米的距離接近電極18、20并且提供用于冷卻電極。

根據(jù)本發(fā)明并且為了改進觸發(fā)過程，鄰近電極尖端26形成導電沉積體28。

參照圖2，示出這樣的燈的制造方法。提供由相應的控制單元控制的激光器，用于局部地加熱鎢陰極24的一小區(qū)域以便使電極材料揮發(fā)以用于后續(xù)沉積在石英外殼10上。盡管沒有示出，但是該導電沉積體的形狀可以通過激光器相對于燈運動來定義以獲得期望效果。

下面的表1總結了對12批次的閃光燈所進行的實驗結果。在沒有導電沉積體的情況下，所需要的觸發(fā)電壓是高的（高達10kV）并且在批次之間稍有不一致。然而，在形成根據(jù)本發(fā)明的導電沉積體之后，明顯的是，觸發(fā)電壓降低很多并且一致了