[發明專利]熱輔助記錄用磁記錄介質所使用的Ag合金熱擴散控制膜和熱輔助記錄用磁記錄介質、濺射靶

無效

• 申請號: 201080052289.1
• 申請日: 2010-11-17
• 公開（公告）號: CN102612713A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 中井淳一;田內裕基
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: G11B5/738
• 分類號: G11B5/738;C23C14/14;C23C14/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

技術領域

本發明涉及在記錄過程中，以激光或近場光形成的局部加熱輔助進行磁記錄的熱輔助記錄方式[heat-assisted?magnetic?recording(HAMR)]用的硬盤驅動器所使用的磁記錄介質中，形成于基板和記錄膜或襯底層之間的、作為熱擴散控制膜有用的Ag合金薄膜，以及用其構成的磁記錄介質。

背景技術

磁記錄介質，近年來對于記錄容量的要求進一步增加，因此磁記錄介質的面記錄密度也進一步上升。另一方面，隨著磁記錄介質的記錄密度上升，每1比特的磁記錄介質的體積減少，因此，由于熱攪動造成記錄去磁的問題顯著化。

針對這一問題，例如提出從水平記錄向垂直記錄的記錄方式的改變，和通過記錄層的構成改變等加以應對的方法，但是其沒有解決本質上的問題。由上述的熱攪動造成的記錄去磁，相對于磁記錄材料具有的磁晶各向異性常數(Ku)和每1比特的體積(v)，依存于由exp(-vKu/kT)(k：波耳茲曼常數，T：絕對溫度)表示的函數而增加。即，為了記錄密度增大而降低每1比特的體積(v)時，需要與之相稱的Ku的增加，但Ku是材料固有的值，作為軟磁性記錄材料通用的CoCrPt系等的Ku低，不能充分應對這樣的要求。

因此，為了提供磁晶各向異性更高的材料，CoPt、FePt等的有序合金得到研究。但是，這些磁晶各向異性高的材料存在的問題是，在現有的記錄磁頭可以記錄的磁場不能進行記錄。

因此，利用記錄材料的磁晶各向異性與溫度一起減少這一點，提出使用激光或近場光，只在記錄時加熱對象區域的熱輔助記錄方式。熱輔助記錄方式，是融合了磁記錄技術和光記錄技術的記錄方式，指的是對于在通常的磁記錄中不能進行記錄的高保持力介質，以激光的照射產生的熱，局部性地降低記錄磁性部分的保持力而進行記錄之后，再急冷至室溫而加大保持力并保存的方式。

在熱輔助記錄方式中，由于優選在記錄時的加熱后快速冷卻，因此為了促進熱擴散，在基板與襯底層或記錄膜之間，配置具有高熱傳導率的熱擴散控制膜。圖1中顯示具有熱擴散控制膜的熱輔助磁記錄介質的膜構成的一例。

作為這樣的熱輔助記錄方式的磁記錄介質，例如可列舉專利文獻1和2。在這些文獻中公開的是，作為熱擴散控制膜，含有Cu、Ag、Au、W、Si、Mo的散熱層(專利文獻1)；以Al、Ni、Au、Ag、Cu、Rh、Pt、Ru為母元素，其中含有Al、Ni、Au、Ag、Cu、Rh、Pt、Pd、Ti、Ta、Nb、Cr、Zr、V的元素的熱控制層(專利文獻2)。

先行技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-210426號公報

專利文獻2：日本特開2008-34078號公報

其中，Au、Cu、Ag的熱傳導率(容積的數據)，根據理化學事典等高達如下程度，Au：317W/(m·K)、Cu：401W/(m·K)、Ag：429W/(m·K)，適合作為熱擴散控制膜。但是，在熱輔助記錄方式中，需要在進行激光照射的寫入時，溫度急速上升，斷開激光時，溫度急速下降，為此，除了高的熱傳導率以外，熱擴散率高也很重要。上述元素的熱擴散率為，Au：1.3×10^-4m²/sec、Cu：1.2×10^-4m²/sec、Ag：1.8×10^-4m²/sec，Ag具有最高的值。若對于Ag以外的元素進行研究，則Au其耐腐蝕性非常高，但非常高價，工業化上從成本的觀點出發不適宜。另外Cu與Ag和Au相比容易氧化，在耐腐蝕性這一點上存在問題。相對于此，Ag如上述，熱擴散率最大，具有良好的熱的特性，除此之外，從被分類為貴金屬可知，其面對氧化造成的腐蝕很強固，與其他金屬的反應性也低，因此最適合于熱擴散控制層。

但是，Ag薄膜一般來說表面粗糙度Ra大到數nm以上，經過加熱容易引起晶粒生長和粗糙化等的膜構造變化。另一方面，在磁記錄介質中，磁頭-磁記錄介質間的距離非常狹窄，因此需要磁記錄介質的Ra在1.0nm以下左右而有著非常平滑的表面。為此，進行的研究例如是使Ag薄膜的膜厚非常薄而達到約20nm左右以下，從而抑制Ra的增加，但這會招致熱容量和熱擴散效果的降低，其結果是，作為熱擴散控制層的功能大幅降低。另外，在熱輔助記錄方式中，因為被曝露在超過100℃的高溫加熱中，反復經受這樣的高溫加熱和急劇冷卻到室溫的循環，所以也要求有高的耐熱性。