[發(fā)明專利]CZTS/Se前體油墨及用于制備CZTS/Se薄膜和基于CZTS/Se的光伏電池的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080052101.3 | 申請(qǐng)日: | 2010-05-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102668021A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹炎炎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | E·I·內(nèi)穆?tīng)柖虐罟?/a> |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/368 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
| 地址: | 美國(guó)特*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | czts se 油墨 用于 制備 薄膜 基于 電池 方法 | ||
1.組合物,包含:
a)流體介質(zhì);
b)涂覆的含銅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒;
c)涂覆的含錫硫?qū)僭鼗锛{米顆粒;和
d)涂覆的含鋅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒,
其中所述硫?qū)僭鼗餅榱蚧锘蛭铮⑶宜鼋M合物中Cu∶Zn∶Sn∶(S+Se)的摩爾比為約2∶1∶1∶4。
2.權(quán)利要求1的組合物,其中所述含銅硫?qū)僭鼗镞x自Cu2S、CuS、Cu2Se、CuSe、Cu2SnS3、Cu4SnS4和Cu2SnSe3。
3.權(quán)利要求1的組合物,其中所述含錫硫?qū)僭鼗镞x自SnS2,SnS,SnSe,SnSe2、Cu2SnS3、Cu4SnS4和Cu2SnSe3。
4.權(quán)利要求1的組合物,其中所述含鋅硫?qū)僭鼗餅閆nS或ZnSe。
5.權(quán)利要求1的組合物,其中所述涂覆的含銅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒包括有機(jī)穩(wěn)定劑,所述有機(jī)穩(wěn)定劑選自烷基胺、烷基硫醇、三烷基氧化膦、三烷基膦、烷基膦酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸鹽、聚磷酸鹽、聚胺、吡啶、烷基吡啶、包含半胱氨酸和/或組氨酸殘基的肽、乙醇胺、檸檬酸鹽、巰基乙醇酸、油酸和聚乙二醇。
6.權(quán)利要求1的組合物,其中所述涂覆的含錫硫?qū)僭鼗锛{米顆粒包括有機(jī)穩(wěn)定劑,所述有機(jī)穩(wěn)定劑選自烷基胺、烷基硫醇、三烷基氧化膦、三烷基膦、烷基膦酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸鹽、聚磷酸鹽、聚胺、吡啶、烷基吡啶、包含半胱氨酸和/或組氨酸殘基的肽、乙醇胺、檸檬酸鹽、巰基乙醇酸、油酸和聚乙二醇。
7.權(quán)利要求1的組合物,其中所述涂覆的含鋅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒包括有機(jī)穩(wěn)定劑,所述有機(jī)穩(wěn)定劑選自烷基胺、烷基硫醇、三烷基氧化膦、三烷基膦、烷基膦酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸鹽、聚磷酸鹽、聚胺、吡啶、烷基吡啶、包含半胱氨酸和/或組氨酸殘基的肽、乙醇胺、檸檬酸鹽、巰基乙醇酸、油酸和聚乙二醇。
8.權(quán)利要求1的組合物,其中所述流體介質(zhì)選自甲苯、氯仿、二氯甲烷、吡啶、己烷、庚烷、辛烷、丙酮、2-丁酮、甲基乙基酮、水和醇。
9.權(quán)利要求1的組合物,還包含基于所述組合物的總重量計(jì)至多1重量%的添加劑,其中所述添加劑為鈉鹽、元素硫或元素硒。
10.包括將混合物分散于流體介質(zhì)中的方法,所述混合物包含:
a)涂覆的含銅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒;
b)涂覆的含錫硫?qū)僭鼗锛{米顆粒;和
c)涂覆的含鋅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒,其中所述硫?qū)僭鼗餅榱蚧锘蛭?,并且所述組合物中Cu∶Zn∶Sn∶(S+Se)的摩爾比為約2∶1∶1∶4。
11.權(quán)利要求10的方法,其中所述流體介質(zhì)選自甲苯、氯仿、二氯甲烷、吡啶、己烷、庚烷、辛烷、丙酮、2-丁酮、甲基乙基酮、水和醇。
12.包括將分散體沉積到基底上的方法,其中所述分散體包含:
a)流體介質(zhì);
b)涂覆的含銅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒;
c)涂覆的含錫硫?qū)僭鼗锛{米顆粒;和
d)涂覆的含鋅硫?qū)僭鼗锛{米顆粒,其中所述硫?qū)僭鼗餅榱蚧锘蛭铮⑶宜鼋M合物中Cu∶Zn∶Sn∶(S+Se)的摩爾比為約2∶1∶1∶4。
13.權(quán)利要求12的方法,其中所述流體介質(zhì)選自甲苯、氯仿、二氯甲烷、吡啶、己烷、庚烷、辛烷、丙酮、2-丁酮、甲基乙基酮、水和醇。
14.權(quán)利要求12的方法,其中所述基底選自玻璃、金屬、或聚合物基底;鍍鉬的鈉鈣玻璃;鍍鉬的聚酰亞胺薄膜;以及另外包括鈉化合物層的鍍鉬的聚酰亞胺膜。
15.權(quán)利要求12的方法,還包括除去流體介質(zhì)以形成涂覆的基底。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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