[發(fā)明專利]晶圓載具無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080048140.6 | 申請日: | 2010-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN102598238A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林鐘顯;鄭領(lǐng)哲;劉泳鐘;金永均;崔鉉喆 | 申請(專利權(quán))人: | EMP有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;B65D85/86;B65D85/38 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 楊黎峰;李欣 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓載具 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶圓載具,尤其涉及一種可以防止容納于晶圓載具中的大量的晶圓移動,通過固定突出部自然導(dǎo)向所容納的晶圓,并且防止所述容納的晶圓被損壞的晶圓載具。
背景技術(shù)
通常,制造半導(dǎo)體器件是通過選擇性地進(jìn)行例如曝光、刻蝕、擴(kuò)散、沉積等工藝的一系列過程來實(shí)現(xiàn)的,其中,所述擴(kuò)散和沉積工藝是通過在高溫環(huán)境下注入工藝氣體并且使工藝氣體在硅片上進(jìn)行反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的。用于進(jìn)行這種工藝的半導(dǎo)體制造設(shè)備主要使用管(tube)式爐(furnace)裝置。通常,這種管式爐或類似裝置使用一次裝載大量的晶圓并且在其上進(jìn)行工藝的分批(batch)方式,并且在制造半導(dǎo)體器件的工藝中用作形成薄膜或擴(kuò)散雜質(zhì)離子的裝置。主要使用這類裝置中的立式熔爐(vertical?type?furnace)。所述立式熔爐是化學(xué)氣相沉積裝置,其使用的工藝是:在高溫真空環(huán)境下,若將工藝氣體注入工藝室,工藝氣體相互反應(yīng),以形成反應(yīng)物質(zhì),同時在低氣壓的空間內(nèi)擴(kuò)散反應(yīng)物質(zhì),以在晶圓的表面上疊薄膜。
作為用于容納和傳送大量晶圓的裝置,載具已經(jīng)被使用。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的常用載具中,在將板安裝在載具的左右兩側(cè)的狀態(tài)下,沿著板的周圍表面固定多個座桿,使載具的頂部是敞開的,以在載具中容納晶圓,并且將固定桿固定在敞開的頂部,以固定所容納的晶圓并且保持晶圓在載具中安置的狀態(tài)。此外,在所述座桿和固定桿的外周表面以預(yù)定的距離設(shè)置有多個固定突出部,從而可以將晶圓插入固定突出部之間。
但是,在固定突出部之間插入晶圓時,因晶圓和固定突出部之間的接觸而產(chǎn)生摩擦,因此,會發(fā)生在與固定突出部接觸的表面上生成斑點(diǎn)的問題。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的,本發(fā)明的目的在于提供一種可以防止容納于晶圓載具中的大量的晶圓移動,通過固定突出部自然地導(dǎo)向所容納的晶圓,并且防止所容納的晶圓被損壞的晶圓載具。
解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的,本發(fā)明具有下列配置。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,晶圓載具包括:一對側(cè)板,所述一對側(cè)板具有在其頂端形成的吊孔和插入孔;側(cè)支撐桿,所述側(cè)支撐桿固定在所述側(cè)板的兩側(cè),以使側(cè)板相隔預(yù)定的距離,并且具有在其內(nèi)側(cè)沿著長度方向由固定突出部形成的插槽;底部支撐桿,所述底部支撐桿固定在所述側(cè)板的底部,以使側(cè)板相隔預(yù)定的距離,并且具有在其頂部沿著長度方向由固定突出部形成的插槽;及屏蔽桿,所述屏蔽桿可拆卸地插入所述插入孔中,并且具有在其底部沿著長度方向由固定突出部形成的插槽;其中,所述插槽形成為使所述插槽的中部低于在所述插槽的底表面的寬度方向上的兩端。
此外,優(yōu)選地,所述插槽的底表面可以以選自曲線和傾斜面中的任意一種形成的。
而且,優(yōu)選地,所述固定突出部的截面形狀可以具有所述固定突出部的寬度從底端向頂端逐漸變窄的形狀。
此外,優(yōu)選地,所述固定突出部可以具有彎曲形狀。
而且,優(yōu)選地,所述固定突出部可以具有其側(cè)面的傾斜面在頂端相互接觸的形狀。
此外,所述固定突出部的底端還可以設(shè)置有角形體。
而且,所述角形體可以具有豎直形成的側(cè)面或具有與所述固定突出部的傾斜面相比相對小的傾斜角。
有益效果
本發(fā)明具有如下效果:防止容納于晶圓載具中的大量的晶圓移動,通過固定突出部自然地導(dǎo)向所容納的晶圓,并且防止晶圓被損壞。
本發(fā)明還具有如下效果:通過使容納于插槽中的晶圓位于所述插槽的中心,防止晶圓因固定突出部而被損壞。
本發(fā)明還具有如下效果:通過使結(jié)合部件具有各種形狀,提高載具內(nèi)的附著力,從而防止晶圓水平移動,并且可以防止晶圓因在濕法或干法工藝中發(fā)生的溫度變化或化學(xué)反應(yīng)而被扭曲。
附圖說明
圖1是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的晶圓載具的透視圖;
圖2是示出圖1所示的屏蔽桿的部分透視圖;
圖3是示出圖2所示的屏蔽桿的操作狀態(tài)的部分截面圖;
圖4和圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的插槽的形狀的部分截面圖;
圖6至圖9是示出容納根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的晶圓的固定突出部的形狀的部分截面圖;
圖10至圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的晶圓載具的操作狀態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





