[發明專利]光電器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201080045279.5
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN102576803A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 樊嘉辰;喬安妮·莎拉·威爾森;安東尼斯·瑪麗亞·B·范默爾;S·哈爾科馬
• 申請（專利權）人: 荷蘭應用自然科學研究組織TNO
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種制造薄膜光電器件(1)的方法，包括步驟：

提供(S1)第一金屬基底(10)；

對所述金屬基底的第一主表面(11)進行圖案化(S2)，從而在所述第一主表面(11)內產生凸起部分(12)和凹陷部分(13)；

在所述金屬基底(12)的第一主表面(11)處沉積(S3)第一阻擋層結構(20)；

在與所述第一主表面(11)相對的第二主表面(15)處從所述金屬基底去除(S4)材料，以顯露與所述凹陷部分相對的第一阻擋層結構(20)；

在所述第一阻擋層結構(20)的被從所述金屬基底去除材料的一側，施加(S5)功能層結構(30)；

在所述功能結構的與所述第一阻擋層結構相對的一側，施加(S6)第二阻擋層結構(40)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中對所述金屬基底(10)的第一主表面(11)進行圖案化的步驟(S2)包括子步驟：

在所述第一主表面上施加圖案化的保護層(14)；和

蝕刻具有所述圖案化的保護層(14)的所述金屬基底(10)。

3.根據權利要求1所述的方法，其中對所述金屬基底(10)的第一主表面(11)進行圖案化的步驟(S2)通過機械處理來實施。

4.根據權利要求1所述的方法，其中從所述金屬基底(10)的第二主表面(15)去除材料的步驟(S4)通過均勻蝕刻法來實施。

5.根據權利要求1所述的方法，其中從所述金屬基底(10)的第二主表面(15)去除材料的步驟(S4)通過拋光法來實施。

6.根據權利要求1所述的方法，其中從所述金屬基底(10)的第二主表面(15)去除材料之前，在所述阻擋結構(20)的自由表面處施加有機材料的基底(50)。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述金屬基底(10)包括被蝕刻停止層(10c)分離的第一和第二金屬層(10a、10b)，并且其中在所述第二主表面處從所述金屬基底去除材料的步驟(S4)之后以及在施加所述功能結構(30)的步驟(S5)之前，去除所述蝕刻停止層(10c)。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在從所述第二主表面(15)去除材料的步驟(S4)之后，根據由在所述第一阻擋層結構(20)內余留的凸起部分(12)所限定的圖案來印制導電材料。

9.一種薄膜光電器件，包括：

封閉在第一阻擋層結構(20)和第二阻擋層結構(40)之間的功能層結構(30)，

所述器件具有導通的電互連導電結構(10)，所述電互連導電結構(10)嵌入在所述第一阻擋層結構(20)內，所述電互連導電結構(10)包括在所述阻擋層結構(20)內橫向延伸的至少一個金屬的細長元件(12a、12b、12c)，所述電互連導電結構(10)設置為抵靠所述功能層結構(30)，所述電互連導電結構(10)具有嵌入所述第一阻擋層結構(20)內的、橫向朝向的、經蝕刻或壓印的表面，以及朝向所述功能層結構(30)的經蝕刻或壓印的表面(12p)。

10.一種按照權利要求9的薄膜光電器件構造的發光二極管。

11.一種按照權利要求9的薄膜光電器件構造的光伏電池。

12.一種按照權利要求9的薄膜光電器件構造的電致變色電池。