[發明專利]具有分離點火階段的點火階段晶閘管

有效

• 申請號: 201080044032.1
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102668088A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 烏韋·凱爾納-沃爾德華森;迪特·西爾柏;埃斯瓦爾-庫馬爾·丘考盧里
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技雙極有限責任合伙公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L31/111;H01L29/06
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 叢芳;彭曉玲

1.晶閘管及一個半導體(1)，其中縱向(v)從背面(14)到與其(14)相對的正面(13)，按序疊放一個p型雜質射極(8)，一個n型雜質(7)，一個p型雜質基極(6)和一個n型雜質射極(5)，并表現出以下特征：

點火結構(AG)至少含有一個點火階段(AG1，AG2，AG3，AG4)，其各被一個n型雜質射極(5)隔開，被一個n型點火階段射極(51，52，53，54)包裹，而其被置于一個p型雜質基極(6)內；

一個電極(42)與正面(13)的點火階段射極(52，53，54)中的(52)相接，且此連接為第一個接觸面(421)，該電極使在轉向n型雜質射極(5)面上的p型雜質基極(6)和在正面(13)的點火階段射極中的射極(52)在第二接觸面(422)相接，第二個接觸面(422)既與第一接觸面(421)又與點火階段射極中的射極(52)相隔。

2.根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于，在第一接觸面(421)和在正面(13)的第二接觸面(422)之間加上絕緣體(18)。

3.根據權利要求2所述的晶閘管，其特征在于，在電極(42)和正面(13)之間，至少是逐步安置絕緣體(18)。

4.根據權利要求2或3所述的晶閘管，其特征在于，p型雜質基極(6)通過本地最大值指明層電阻(RS)。

5.根據權利要求4所述的晶閘管，其特征在于，本地最大值處于第一接觸面(421)和n型雜質基極(7)之間。

6.根據權利要求4所述的晶閘管，其特征在于，本地最大值處絕緣體(18)和n型雜質基極(7)之間。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的晶閘管，其特征在于，p型雜質基極(6)通過第一分段(61)，第二分段(62)和第三分段(63)指明整個段(60)，同時

第一分段(61)和第三分段(63)的凈摻雜物濃度(p+)高于第二分段(62)；

第二分段(62)與第一分段(61)和第三分段(63)相連；

點火階段射極(51，52，53，54)中的(52)和第一分段(61)建立起一個pn-過渡區(521)。

8.根據權利要求7所述的晶閘管，其特征在于，點火階段射極(51，52，53，54)中的射極(52)應置于第一分段(61)之中。

9.根據權利要求7或8所述的晶閘管，其特征在于，第二接觸面(422)與第三分段(63)相接。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的晶閘管，其特征在于，凈摻雜物濃度順著縱向(v)至少兩輛相隔的垂直軸(al，a2，a3，a4)給出幾個本地最大值(E1，E2，E21)，其上導線類型為“p”。

11.根據權利要求10所述的晶閘管，其特征在于，幾個本地最大值(EL)中的一個處于第二接觸面(422)和n型雜質基極(7)之間。

12.根據權利要求10或11所述的晶閘管，其特征在于，沿在垂直方向(v)垂直軸(a3，a4)在n型雜質基底(7)的至少2個(E1，E2)的距離(71)之間所進行了安排。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的晶閘管，其特征在于，從p型雜質基底(6)間隔的第一次接觸面(421)被間隔。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的晶閘管，其特征在于，第一次接觸面(421)和第二次接觸面(422)之間應該有能夠過之前的第13頁所提到的相對距離，讓它們形成一個封閉的環，并讓電極(42)與任何地方都不要有接觸。

15.根據權利要求1至14中任一項所述的晶閘管，其特征在于，在點火觸發范圍(ZAB)有提示，點火等級結構(AG)在點火觸發范圍(ZAB)和n型雜質發射極(5)之間作了安排。

16.根據權利要求15所述的晶閘管，其特征在于，其中一個點火階段(AG1)，在當中的一個一個點火階段(AG1)，它是點火觸發范圍(ZAB)的下一個點火階段。

17.根據權利要求15所述的晶閘管，其特征在于，其中所說的點火階段(AG2)是一個點火階段，它是在最近的點火接觸范圍(ZAB)的下一個點火階段(AG1)。