[發明專利]用于微光刻投射曝光設備中的反射鏡

有效

• 申請號: 201080041007.8
• 申請日: 2010-08-26
• 公開（公告）號: CN102498419A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 馬丁.羅克泰希爾;哈特穆特.恩基希;弗朗茲-約瑟夫.斯蒂克爾;奧利弗.納特;漢斯-于爾根.曼;薩斯查.米古拉
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 吳艷

1.用于微光刻投射曝光設備中的反射鏡(1、201、301)，包括基底(3、203、303)和反射涂層，

其中，所述反射涂層包括第一層組(19、219、319)并包括第二層組(21、221、321)，

其中，所述第二層組(21、221、321)布置在所述基底(3、203、303)與所述第一層組(19、219、319)之間，

其中，所述第一層組(19、219、319)與所述第二層組(21、221、321)包括多個彼此上下布置的交替的第一層(9、209、309)和第二層(11、211、311)，其中所述第一層(9、209、309)包括第一材料，

對于具有5-30nm范圍中的波長的輻射，所述第一材料的折射率大于所述第二層(11、211、311)所包括的第二材料的折射率，

其特征在于，

所述第一層組(19、219、319)包括大于20的層數，從而在利用具有5-30nm范圍中的波長的輻射照射時，少于20％的輻射到達所述第二層組(21、221、321)，并且

其中所述第二層組(21、221、321)具有層厚度變化，用于校正所述反射鏡(1、201、301)的表面形狀。

2.如權利要求1所述的反射鏡，其特征在于

所述第一層組(19、219、319)具有層厚度變化，用于考慮入射輻射的入射角在所述反射鏡(1、201、301)上的變化。

3.如權利要求1或2所述的反射鏡，其特征在于

所述第二層組(21、221、321)與所述基底直接相接。

4.如權利要求1-3中的任一項所述的反射鏡，其特征在于

所述第一材料是硅，并且所述第二材料從包括鉬和釕的組中選擇。

5.如權利要求1-4中的任一項所述的反射鏡，其特征在于

所述第二層組(21、321)的層數至少在所述反射鏡(1、301)的兩個位置(15、17)處不同。

6.如權利要求1-5中的任一項所述的反射鏡，其特征在于

所述第二層組(221)具有校正層(225)，所述校正層(225)具有層厚度變化用于校正所述反射鏡(201)的表面形狀，并且由于所述校正層(225)的層厚度變化，所述第二層組(221)的層厚度變化達到超過50％的程度。

7.如權利要求6所述的反射鏡，其特征在于

所述校正層(225)與所述第一層組(219)相接。

8.如權利要求7所述的反射鏡，其特征在于

所述校正層(225)包含石英。

9.用于微光刻曝光設備的投射物鏡，包括根據權利要求1-8中的任一項所述的反射鏡(1、201、301)。

10.微光刻投射曝光設備，包括根據權利要求9所述的投射物鏡。

11.用于校正包括基底(3、203、303)和反射涂層的反射鏡(1、201、301、401)的表面形狀的方法，包括至少以下步驟：

a.產生或改變所述反射涂層的層厚度變化，用于校正所述反射鏡的表面形狀，

b.向所述反射涂層施加層組(19、219、319)，其中所述層組包括大于20的層數，從而在利用具有5-30nm范圍中的波長的輻射照射時，少于20％的輻射穿過所述層組，

其中，所述反射涂層和所述層組包括多個彼此上下布置的交替的第一層(9、209、309)和第二層(11、211、311)，其中所述第一層(9、209、309)包括第一材料，

對于具有5-30nm范圍中的波長的輻射，所述第一材料的折射率大于所述第二層(11、211、311)所包括的第二材料的折射率。