[發明專利]在OLED基底上形成圖案化涂層的裝置和方法

無效

• 申請號: 201080040420.2
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102625860A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: M·顏;L·G·特納;A·G·埃爾拉特;W·F·莫納罕;D·J·史密斯
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/56;C23C16/04;C23C16/54
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李進;林森

1.一種用于在基于卷對卷蒸發的沉積過程中在OLED基底上施加圖案化涂層的裝置，其包括：

處理滾筒，能夠放置用于通過蒸發沉積源涂布的OLED基底；

驅動輥，能夠從送料輥傳輸OLED基底至卷取輥和控制處理滾筒上OLED基底的張力；和

蔭罩，其中蔭罩的弧度與處理滾筒的弧度匹配，且其中所述蔭罩緊密接近處理滾筒地放置以產生間隙，OLED基底適于穿過其該間隙從送料輥移動至卷取輥而與所述蔭罩沒有物理接觸，并且其中所述蔭罩包括；

一個或多個與OLED基底移動方向平行的掩蔽線特征，其中所述掩蔽線特征選擇性地防止涂層沉積在OLED基底的一個或多個區域上；和

一個或多個與OLED基底移動方向垂直的束特征，其中所述束特征提供線特征的機械支撐。

2.如權利要求1所述的裝置，其中蒸發沉積源選自熱蒸發源、電子束蒸發源、離子束輔助蒸發源、等離子體輔助蒸發源、DC濺射、DC磁控濺射、AC濺射、脈沖DC濺射和RF濺射。

3.如權利要求1所述的裝置，其中蔭罩進一步包括一個或多個支撐結構，以將蔭罩連接至處理滾筒的軸。

4.如權利要求1所述的裝置，其中掩蔽線特征包括彎曲金屬帶，其中金屬帶的弧度與處理滾筒的弧度匹配，并且所述金屬帶的厚度由OLED基底上將形成未涂布圖案區域的寬度確定。

5.如權利要求1所述的裝置，其中一個或多個束特征包括具有冷卻通道的中空金屬管，以調節蔭罩的溫度。

6.如權利要求1所述的裝置，其進一步包括校直裝置以在處理滾筒上校直OLED基底。

7.如權利要求6所述的裝置，其中校直裝置包括處理滾筒上的凹進區域，并且其中在涂布過程期間OLED基底放置在所述凹進區域內。

8.如權利要求6所述的裝置，其中校直裝置包括導引控制系統，其?中所述導引控制系統監控和調節處理滾筒上OLED基底的位置。

9.如權利要求1所述的裝置，其中處理滾筒和蔭罩之間的距離從約1微米到約2000微米。

10.如權利要求1所述的裝置，其中蔭罩由低熱膨脹合金構成。

11.如權利要求10所述的裝置，其中低熱膨脹合金為INVAR。

12.如權利要求1所述的裝置，其進一步包括第二處理滾筒，其中第一處理滾筒和所述第二處理滾筒放置在離蒸發沉積源不同的距離處，以允許在OLED基底上施加兩個涂布層，所述涂布層將以不同的沉積速度施加。

13.如權利要求1所述的裝置，其中蒸發沉積源進一步包括開閉器裝置，以中間阻止涂層沉積在OLED基底上。

14.一種在基于卷對卷蒸發的沉積過程中在OLED基底上施加圖案化涂層的方法，其包括：

提供OLED基底；

提供驅動輥以允許OLED基底從送料輥連續移動至卷取輥；

提供放置在送料輥和卷取輥之間的處理滾筒和蔭罩，其中蔭罩緊密接近處理滾筒并且匹配處理滾筒的弧度，并且其中蔭罩包括；

一個或多個與OLED基底移動方向平行的掩蔽線特征，其中所述掩蔽線特征選擇性地防止涂層沉積在OLED基底的一個或多個區域上；和

一個或多個與OLED基底移動方向垂直的束特征，其中所述束特征提供掩蔽線特征的機械支撐；

在送料輥和卷取輥上放置OLED基底，使得OLED基底卷繞在處理滾筒上并緊密接近蔭罩；

使用驅動輥將OLED基底從送料輥傳輸至卷取輥；和

由蒸發沉積源通過蔭罩在OLED基底上沉積涂層。

15.如權利要求14所述的方法，其中蒸發沉積源選自熱蒸發源、電子束蒸發源、離子束輔助蒸發源、等離子體輔助蒸發源、DC濺射、DC磁控濺射、AC濺射、脈沖DC濺射和RF濺射。?

16.如權利要求14所述的方法，其中處理滾筒和蔭罩之間的距離從約1微米到約2000微米。

17.如權利要求14所述的方法，其中蔭罩由低熱膨脹合金構成。

18.如權利要求17所述的方法，其中低熱膨脹合金為INVAR?