[發明專利]半導體發光元件的制造方法、燈、電子設備和機械裝置

有效

• 申請號: 201080039686.5
• 申請日: 2010-07-09
• 公開（公告）號: CN102484177A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 酒井浩光
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;F21S2/00;H01L33/32
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

1.一種半導體發光元件的制造方法，其特征在于，具有：

在第1有機金屬化學氣相沉積裝置中，在基板上層疊第一n型半導體層的第1工序；和

在第2有機金屬化學氣相沉積裝置中，在所述第一n型半導體層上依次層疊再生長層、第二n型半導體層、活性層和p型半導體層的第2工序。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，在所述第2工序中，所述第二n型半導體層具有使薄膜層反復生長20層～40層而得到的超晶格結構。

3.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，所述第1工序中的所述第一n型半導體層的生長條件和所述第2工序中的所述再生長層的生長條件相同。

4.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，所述第一n型半導體層和再生長層為n接觸層，所述第二n型半導體層為n覆蓋層。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，將所述再生長層的厚度設為0.05μm～2μm。

6.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，具有：在形成所述再生長層之前，在含有氮的氣氛下進行熱處理溫度為500℃～1000℃的熱處理的輔助工序。

7.一種燈，其特征在于，具備采用權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法制造的半導體發光元件。

8.一種電子設備，其特征在于，組裝有權利要求7所述的燈。

9.一種機械裝置，其特征在于，組裝有權利要求8所述的電子設備。

10.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，再生長層是第一n型半導體層的再生長層，且為n型半導體層。

11.一種半導體發光元件的制造方法，其特征在于，具有：

在第1有機金屬化學氣相沉積裝置中，在基板上層疊第一n型半導體層的第1工序；和

在第2有機金屬化學氣相沉積裝置中，在所述第一n型半導體層上依次層疊再生長層、第二n型半導體層、發光層和p型半導體層的第2工序，

在所述第2工序中，將所述第2有機金屬化學氣相沉積裝置的沉積室內的壓力設為500mbar～1013mbar來使所述發光層生長。

12.根據權利要求11所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，包括：在與流量為30SLM～100SLM的第1載氣一同地向所述第2有機金屬化學氣相沉積室供給含有III族元素的III族原料的同時，與第2載氣一同地向所述沉積室供給含有氮或氮化合物的氮原料，使由III族氮化物半導體層構成的所述發光層生長的工序。

13.一種燈，其特征在于，具備采用權利要求11所述的半導體發光元件的制造方法制造的半導體發光元件。

14.一種電子設備，其特征在于，組裝有權利要求13所述的燈。

15.一種機械裝置，其特征在于，組裝有權利要求14所述的電子設備。