[發明專利]電氣元件的制造方法和電氣元件

有效

• 申請號: 201080033882.1
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN102575369A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 高見澤政男;仲俊秀;劍持仁志;西村宜幸
• 申請（專利權）人: OM產業股份有限公司
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C25D5/10;C25D5/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種電氣元件的制造方法，其特征在于，包括：

在基材上形成包含鈀或鈀合金的中間鍍層的工序；和

在所述中間鍍層上形成包含錫或含有鈀以外的金屬的錫合金的表面鍍層的工序。

2.如權利要求1所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：

所述中間鍍層的厚度為0.02～2μm。

3.如權利要求1或2所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：

由電鍍法形成所述中間鍍層。

4.如權利要求1～3中任一項所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：所述基材由含銅的材料構成。

5.如權利要求1～4中任一項所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：還包括在形成所述表面鍍層后，進行加熱處理的工序。

6.如權利要求5所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：

所述加熱處理是再流平處理。

7.如權利要求5所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：

所述加熱處理是退火處理。

8.如權利要求1～7中任一項所述的電氣元件的制造方法，其特征在于：還包括在形成所述中間鍍層之前，在基材上形成以鎳或銅為主要成分的底鍍層的工序。

9.一種電氣元件，其特征在于，具有：

基材、在該基材上所形成的包含鈀或鈀合金的中間層、和在該中間層上所形成的包含錫或含有鈀以外的金屬的錫合金的表面層。

10.如權利要求9所述的電氣元件，其特征在于：

所述中間層的厚度為0.02～2μm。

11.如權利要求9或10所述的電氣元件，其特征在于：

在所述中間層的下層還具有以鎳或銅為主要成分的底層。

12.一種電氣元件，其特征在于：

其具有基材和在該基材上所形成的表面層，

所述表面層具有由錫或含有鈀以外的金屬的錫合金構成的相、與含有錫和鈀的合金相。

13.如權利要求12所述的電氣元件，其特征在于：

在所述表面層的下層還具有包含鈀或鈀合金的中間層。

14.如權利要求13所述的電氣元件，其特征在于：

所述中間層的厚度為0.02～2μm。

15.如權利要求12所述的電氣元件，其特征在于：

在所述表面層的下層還具有以鎳或銅為主要成分的底層。

16.如權利要求9～15中任一項所述的電氣元件，其特征在于：

所述基材由含銅的材料構成。

17.如權利要求9～16中任一項所述的電氣元件，其特征在于：

在由電子背散射衍射圖像法(EBSD法)所測得的、所述表面層的與所述基材表面正交的截面的錫的結晶方位分布中，顆粒之間的結晶方位差為15°以內的區域連續存在10μm以上。