[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201080032159.1
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN102473731A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 山崎舜平;細羽幸;野田耕生;大原宏樹;佐佐木俊成;坂田淳一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在具有絕緣表面的襯底上形成柵電極層；

在所述柵電極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成氧化物半導體層；

在氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上形成源和漏電極層；

在所述柵絕緣層、所述氧化物半導體層和所述源和漏電極層上形成與所述氧化物半導體層的部分相接觸的氧化物絕緣層；以及

在氧氣氣氛或惰性氣體氣氛中執行熱處理。

2.一種制造半導體器件的方法，包括：

在具有絕緣表面的襯底上形成柵電極層；

在所述柵電極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成氧化物半導體層；

在氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層，以使所述氧化物半導體層被脫水或脫氫；

在所述氧化物半導體層上形成源和漏電極層；

在所述柵絕緣層、所述氧化物半導體層和所述源和漏電極層上形成與所述氧化物半導體層的部分相接觸的氧化物絕緣層；以及

在氧氣氣氛或惰性氣體氣氛中執行熱處理。

3.一種制造半導體器件的方法，包括：

在所述絕緣層上形成氧化物半導體層；

在氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上形成源和漏電極層；

在所述絕緣層、所述氧化物半導體層和所述源和漏電極層上形成與所述氧化物半導體層的部分相接觸的氧化物絕緣層；以及

在氧氣氣氛或惰性氣體氣氛中執行熱處理。

4.一種制造半導體器件的方法，包括：

在絕緣層上形成氧化物半導體層；

在氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層，以使所述氧化物半導體層被脫水或脫氫；

在所述氧化物半導體層上形成源和漏電極層；

在所述絕緣層、所述氧化物半導體層和所述源和漏電極層上形成與所述氧化物半導體層的部分相接觸的氧化物絕緣層；以及

在氧氣氣氛或惰性氣體氣氛中執行熱處理。

5.根據權利要求1到4中任一項所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，在所述氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層的溫度高于或等于200℃且低于所述襯底的應變點。

6.根據權利要求1到4中任一項所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，在所述氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層之后，在所述氧氣氣氛中保持所述氧化物半導體層。

7.根據權利要求1到4中任一項所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，在所述氧氣氣氛中加熱所述氧化物半導體層之后，在惰性氣體氣氛中保持所述氧化物半導體層。