[發(fā)明專利]生產(chǎn)半導(dǎo)體層的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080028554.2
• 申請日: 2010-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN102803559A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·卡爾波夫;F·弗萊施哈克爾;I·多姆克;M·卡斯特勒;V·弗洛卡;L·韋伯
• 申請（專利權(quán)）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號(hào): C23C18/12
• 分類號(hào): C23C18/12;H01L21/288
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉金輝;林柏楠

1.一種在襯底上生產(chǎn)包含至少一種半導(dǎo)體金屬氧化物的層的方法，所述方法至少包括以下步驟：

(A)在至少一種溶劑中制備包含所述至少一種金屬氧化物的至少一種前體化合物的溶液，所述前體化合物選自相應(yīng)金屬的具有至少三個(gè)碳原子的一元、二元或多元羧酸或者一元、二元或多元羧酸的衍生物的羧酸鹽，醇鹽，氫氧化物，氨基脲，氨基甲酸鹽，異羥肟酸鹽，異氰酸鹽，脒，氨基腙，脲衍生物，羥胺，肟，氨基甲酸酯，氨，胺，膦，銨化合物，疊氮化物，及其混合物，

(B)將來自步驟(A)的溶液施用至襯底上，和

(C)將來自步驟(B)的襯底在20-200℃的溫度下熱處理，以將所述至少一種前體化合物轉(zhuǎn)化為至少一種半導(dǎo)體金屬氧化物，

其中如果將其中x、y和z各自獨(dú)立地為0.01-10的電中性[(OH)_x(NH₃)_yZn]_z用作步驟(A)中的前體化合物，則其通過使氧化鋅和/或氫氧化鋅與氨反應(yīng)而獲得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一種半導(dǎo)體金屬氧化物為氧化鋅ZnO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述襯底為機(jī)械柔性的且包含至少一種塑料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的方法，其中所述半導(dǎo)體金屬氧化物摻雜有選自Al³⁺、In³⁺、Sn⁴⁺、Ga³⁺及其混合物的金屬陽離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的方法，其中在步驟(B)中通過旋涂、噴涂、浸涂、滴涂和/或印刷施用來自步驟(A)的溶液。

6.一種涂覆有至少一種半導(dǎo)體金屬氧化物且可通過根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的方法獲得的襯底。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的襯底在電子元件中的用途。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的用途，其中所述電子元件為TFT、RFID電子標(biāo)簽或顯示器。

9.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的方法，其至少包括根據(jù)權(quán)利要求1的步驟(A)、(B)和(C)。

10.一種通過使氧化鋅和/或氫氧化鋅與氨反應(yīng)制備其中x、y和z各自獨(dú)立地為0.01-10的電中性[(OH)_x(NH₃)_yZn]_z的方法。